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NTH4L020N120SC1	文件：362.12 Kbytes Page：8 Pages	Silicon Carbide (SiC) MOSFET – 20 mohm, 1200V, M1, TO-247-4L Features • Typ. RDS(on) = 20 m • Ultra Low Gate Charge (QG(tot) = 220 nC) • High Speed Switching with Low Capacitance (Coss = 258 pF) • 100 Avalanche Tested • TJ = 175°C • This Device is Halide Free and RoHS Compliant with exemption 7a, Pb−Free 2LI (on second level interconnection) Typi 文件：362.12 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTH4L020N120SC1	文件：362.96 Kbytes Page：8 Pages	Silicon Carbide (SiC) MOSFET – EliteSiC, 20mohm, 1200V, M1, TO-247-4L Features • Typ. RDS(on) = 20 m • Ultra Low Gate Charge (QG(tot) = 220 nC) • High Speed Switching with Low Capacitance (Coss = 258 pF) • 100 Avalanche Tested • TJ = 175°C • This Device is Halide Free and RoHS Compliant with exemption 7a, Pb−Free 2LI (on second level interconnection) Typi 文件：362.96 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTH4L020N120SC1	文件：283.34 Kbytes Page：8 Pages	MOSFET ??SiC Power, Single N-Channel, TO247-4L 1200 V, 20 m, 102 A 文件：283.34 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTH4L020N120SC1	文件：300 bytes Page：1 Pages	Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 20 mohm, 1200 V, M1, TO-247-4L Silicon Carbide (SiC) MOSFET uses a completely new technology thatprovidesuperiorswitching performanceandhigherreliability compared to Silicon. In addition, the low ON resistance and compact chipsizeensurelowcapacitanceandgatecharge.Consequently, system benefits include highest efficiency, faster op • Max RDS(on) = 28mΩ at Vgs = 20V, Id = 60A\n• Typical RDS(on) = 20mΩ\n• High Speed Switching and Low Capacitance\n• Coss = 258pF\n• 100% UIL Tested\n• 1200V Rated;	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTH4L020N120SC1_V01	文件：362.12 Kbytes Page：8 Pages	Silicon Carbide (SiC) MOSFET – 20 mohm, 1200V, M1, TO-247-4L Features • Typ. RDS(on) = 20 m • Ultra Low Gate Charge (QG(tot) = 220 nC) • High Speed Switching with Low Capacitance (Coss = 258 pF) • 100 Avalanche Tested • TJ = 175°C • This Device is Halide Free and RoHS Compliant with exemption 7a, Pb−Free 2LI (on second level interconnection) Typi 文件：362.12 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTH4L020N120SC1_V02	文件：362.96 Kbytes Page：8 Pages	Silicon Carbide (SiC) MOSFET – EliteSiC, 20mohm, 1200V, M1, TO-247-4L Features • Typ. RDS(on) = 20 m • Ultra Low Gate Charge (QG(tot) = 220 nC) • High Speed Switching with Low Capacitance (Coss = 258 pF) • 100 Avalanche Tested • TJ = 175°C • This Device is Halide Free and RoHS Compliant with exemption 7a, Pb−Free 2LI (on second level interconnection) Typi 文件：362.96 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

技术参数

Pb-free：
Pb
Halide free：
H
Status：
Active
Channel Polarity：
N-Channel
Configuration：
Single
V(BR)DSS Min (V)：
1200
VGS Max (V)：
+25/-15
VGS(th) Max (V)：
4.3
ID Max (A)：
102
PD Max (W)：
510
Ciss Typ (pF)：
2943
Package Type：
TO-247-4

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