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NTH4L020N120SC1_V01	文件：362.12 Kbytes Page：8 Pages	Silicon Carbide (SiC) MOSFET – 20 mohm, 1200V, M1, TO-247-4L Features •Typ.RDS(on)=20m •UltraLowGateCharge(QG(tot)=220nC) •HighSpeedSwitchingwithLowCapacitance(Coss=258pF) •100AvalancheTested •TJ=175°C •ThisDeviceisHalideFreeandRoHSCompliantwithexemption7a, Pb−Free2LI(onsecondlevelinterconnection) Typi	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NVH4L020N120SC1_V01	文件：363.19 Kbytes Page：8 Pages	SiliconCarbide(SiC)MOSFET–20mohm,1200V,M1,TO-247-4L Features •Typ.RDS(on)=20m •UltraLowGateCharge(QG(tot)=220nC) •HighSpeedSwitchingwithLowCapacitance(Coss=258pF) •100AvalancheTested •AEC−Q101QualifiedandPPAPCapable •ThisDeviceisHalideFreeandRoHSCompliantwithexemption7a, Pb−Free2LI(onsecondlevel	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

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Silicon Carbide (SiC) MOSFET – 20 mohm, 1200V, M1, TO-247-4L

Features •Typ.RDS(on)=20m •UltraLowGateCharge(QG(tot)=220nC) •HighSpeedSwitchingwithLowCapacitance(Coss=258pF) •100AvalancheTested •TJ=175°C •ThisDeviceisHalideFreeandRoHSCompliantwithexemption7a, Pb−Free2LI(onsecondlevelinterconnection) Typi

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SiliconCarbide(SiC)MOSFET–20mohm,1200V,M1,TO-247-4L

Features •Typ.RDS(on)=20m •UltraLowGateCharge(QG(tot)=220nC) •HighSpeedSwitchingwithLowCapacitance(Coss=258pF) •100AvalancheTested •AEC−Q101QualifiedandPPAPCapable •ThisDeviceisHalideFreeandRoHSCompliantwithexemption7a, Pb−Free2LI(onsecondlevel

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深圳市恒科翔业电子有限公司	NTH4L022N120M3S	ON/安森美	22+		24000	原装正品现货,实单可谈,量大价优	询价
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更多NTH4L020N120SC1_V01供应商更新时间2025-5-3 15:00:00

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