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NTH4L020N120SC1_V01	文件：362.12 Kbytes Page：8 Pages	Silicon Carbide (SiC) MOSFET – 20 mohm, 1200V, M1, TO-247-4L Features • Typ. RDS(on) = 20 m • Ultra Low Gate Charge (QG(tot) = 220 nC) • High Speed Switching with Low Capacitance (Coss = 258 pF) • 100 Avalanche Tested • TJ = 175°C • This Device is Halide Free and RoHS Compliant with exemption 7a, Pb−Free 2LI (on second level interconnection) Typi 文件：362.12 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NVH4L020N120SC1_V01	文件：363.19 Kbytes Page：8 Pages	Silicon Carbide (SiC) MOSFET – 20 mohm, 1200V, M1, TO-247-4L Features • Typ. RDS(on) = 20 m • Ultra Low Gate Charge (QG(tot) = 220 nC) • High Speed Switching with Low Capacitance (Coss = 258 pF) • 100 Avalanche Tested • AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable • This Device is Halide Free and RoHS Compliant with exemption 7a, Pb−Free 2LI (on second level 文件：363.19 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTHL040N65S3F	文件：0 bytes Page：0 Pages	ON/安森美 TO-247	ON/安森美上传：深圳市周芯芯半导体有限公司	ON/安森美
NTJD4001NT1G	文件：0 bytes Page：0 Pages	ON/安森美 SOT-363	ON/安森美上传：深圳市琅玥科技有限公司	ON/安森美
NTJD4105CT1G	文件：0 bytes Page：0 Pages	ON/安森美 SOT-363	ON/安森美上传：深圳市琅玥科技有限公司	ON/安森美

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