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NTH4L015N065SC1	文件：357.1 Kbytes Page：8 Pages	Silicon Carbide (SiC) MOSFET – 12 mohm, 650 V, M2, TO-247-4L Features • Typ. RDS(on) = 12 m @ VGS = 18 V Typ. RDS(on) = 15 m @ VGS = 15 V • Ultra Low Gate Charge (QG(tot) = 283 nC) • High Speed Switching with Low Capacitance (Coss = 430 pF) • 100 Avalanche Tested • TJ = 175°C • This Device is Halide Free and RoHS Compliant with exemption 7a, Pb−Fr 文件：357.1 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTH4L015N065SC1	文件：356.49 Kbytes Page：8 Pages	Silicon Carbide (SiC) MOSFET – EliteSiC, 12mohm, 650 V, M2, TO-247-4L Features • Typ. RDS(on) = 12 m @ VGS = 18 V Typ. RDS(on) = 15 m @ VGS = 15 V • Ultra Low Gate Charge (QG(tot) = 283 nC) • High Speed Switching with Low Capacitance (Coss = 430 pF) • 100 Avalanche Tested • TJ = 175°C • This Device is Halide Free and RoHS Compliant with exemption 7a, Pb−Fr 文件：356.49 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTH4L015N065SC1	文件：337.96 Kbytes Page：9 Pages	MOSFET - SiC Power, Single N-Channel, TO247-4L 650 V, 12 m, 142 A 文件：337.96 Kbytes 页数：9 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTH4L015N065SC1	文件：300 bytes Page：1 Pages	Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 12 mohm, 650 V, M2, TO-247-4L Silicon Carbide (SiC) MOSFET uses a completely new technology that provide superior switching performance and higher reliability compared to Silicon. In addition, the low ON resistance and compact chip size ensure low capacitance and gate charge. Consequently, system benefits include highest efficie • High Junction Temperature\n• Tj = 175C\n• 100% UIL Tested\n• RoHS Compliant\n• High Speed Switching and Low Capacitance\n• 650V rated;	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTH4L015N065SC1_V01	文件：357.1 Kbytes Page：8 Pages	Silicon Carbide (SiC) MOSFET – 12 mohm, 650 V, M2, TO-247-4L Features • Typ. RDS(on) = 12 m @ VGS = 18 V Typ. RDS(on) = 15 m @ VGS = 15 V • Ultra Low Gate Charge (QG(tot) = 283 nC) • High Speed Switching with Low Capacitance (Coss = 430 pF) • 100 Avalanche Tested • TJ = 175°C • This Device is Halide Free and RoHS Compliant with exemption 7a, Pb−Fr 文件：357.1 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTH4L015N065SC1_V02	文件：356.49 Kbytes Page：8 Pages	Silicon Carbide (SiC) MOSFET – EliteSiC, 12mohm, 650 V, M2, TO-247-4L Features • Typ. RDS(on) = 12 m @ VGS = 18 V Typ. RDS(on) = 15 m @ VGS = 15 V • Ultra Low Gate Charge (QG(tot) = 283 nC) • High Speed Switching with Low Capacitance (Coss = 430 pF) • 100 Avalanche Tested • TJ = 175°C • This Device is Halide Free and RoHS Compliant with exemption 7a, Pb−Fr 文件：356.49 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

技术参数

Pb-free：
Pb
AEC Qualified：
A
Halide free：
H
PPAP Capablee：
P
Status：
Active
Channel Polarity：
N-Channel
Configuration：
Single
Blocking Voltage BVDSS (V)：
650
ID(max) (A)：
164
RDS(on) Typ @ 25°C (mΩ)：
15.6
Qg Total (C)：
251
Output Capacitance (C)：
397
Tj Max (°C)：
175
Package Type：
TO-247-4

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市高捷芯城科技有限公司	NTH4L015N065SC1	onsemi(安森美)	24+	TO-247-4	7814	支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。	询价
深圳市达恩科技有限公司	NTH4L015N065SC1	ON	24+	NA	3000	进口原装假一罚十现货	询价
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万三科技(深圳)有限公司	NTH4L015N065SC1	ON(安森美)	25+	封装	500000	源自原厂成本,高价回收工厂呆滞	询价
深圳市亿联芯电子科技有限公司	NTH4L020N090SC1	onsemi	23+	TO-247-4L	1356	原厂正品现货SiC MOSFET全系列	询价
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深圳市旭升微芯科技有限公司	NTH4L020N090SC1	onsemi	23+		321	加QQ:78517935原装正品有单必成	询价

更多NTH4L015N065SC1供应商更新时间2025-11-26 13:43:00

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