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NTH4L015N065SC1_V02	文件：356.49 Kbytes Page：8 Pages	Silicon Carbide (SiC) MOSFET – EliteSiC, 12mohm, 650 V, M2, TO-247-4L Features • Typ. RDS(on) = 12 m @ VGS = 18 V Typ. RDS(on) = 15 m @ VGS = 15 V • Ultra Low Gate Charge (QG(tot) = 283 nC) • High Speed Switching with Low Capacitance (Coss = 430 pF) • 100 Avalanche Tested • TJ = 175°C • This Device is Halide Free and RoHS Compliant with exemption 7a, Pb−Fr 文件：356.49 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTHL040N65S3F	文件：0 bytes Page：0 Pages	ON/安森美 TO-247	ON/安森美上传：深圳市周芯芯半导体有限公司	ON/安森美
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