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NTH4L013N120M3S	文件：368.6 Kbytes Page：8 Pages	Silicon Carbide (SiC) MOSFET – EliteSiC, 13 mohm, 1200V, M3S, TO-247-4L Features Typ.RDS(on)=13m@VGS=18V UltraLowGateCharge(QG(tot)=254nC) HighSpeedSwitchingwithLowCapacitance(Coss=262pF) 100AvalancheTested ThisDeviceisHalideFreeandRoHSCompliantwithexemption7a, Pb−Free2LI(onsecondlevelinterconnection) Typical	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

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NTH4L013N120M3S

文件：368.6 Kbytes

Page：8 Pages

Silicon Carbide (SiC) MOSFET – EliteSiC, 13 mohm, 1200V, M3S, TO-247-4L

Features Typ.RDS(on)=13m@VGS=18V UltraLowGateCharge(QG(tot)=254nC) HighSpeedSwitchingwithLowCapacitance(Coss=262pF) 100AvalancheTested ThisDeviceisHalideFreeandRoHSCompliantwithexemption7a, Pb−Free2LI(onsecondlevelinterconnection) Typical

ONSEMION Semiconductor

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