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NTH027N65S3F-F155

丝印:NTH027N65S3F;Package:TO-247;MOSFET ??Power, N-Channel, SUPERFET III, FRFET 650 V, 75 A, 27.4 m

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ONSEMI

安森美半导体

NTH027N65S3F-F155

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ONSEMI

安森美半导体

NTH027N65S3F

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES · Drain Current -ID= 75A@ TC=25℃ · Drain Source Voltage -VDSS= 650V(Min) · Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 27.4mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION · UPS · Telecom / Server Power Supplies

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ISC

无锡固电

NTH027N65S3F

MOSFET ??Power, N-Channel, SUPERFET III, FRFET 650 V, 75 A, 27.4 m

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安森美半导体

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更多NTH027N65S3F供应商 更新时间2025-9-21 14:14:00