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NTF3055-100	文件：300 bytes Page：1 Pages	单 N 沟道功率 MOSFET 60V，3A，100mΩ; • RoHS Compliant\n; Designed for low voltage, high speed switching applications in power supplies, converters and power motor controls and bridge circuits.	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTF3055-100	文件：70.73 Kbytes Page：6 Pages	Power MOSFET 3.0 Amps 60 Volts N?묬hannel	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTF3055-100	文件：80.42 Kbytes Page：6 Pages	Power MOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTF3055-100T1G	文件：1.94103 Mbytes Page：5 Pages	Marking：3055；Package：SOT223；N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET GENERALFEATURES 60V,4A,Rps(on)=85mQ@Vgs=10V. Rpsion)=100mQ@Vgs=4.5V. HighdensecelldesignforextremelylowRps(on)- Ruggedandreliable. Leadfreeproductisacquired. SOT-223package.	TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD 台舟电子台舟电子股份有限公司	TECHPUBLIC
NTF3055-100_16	文件：80.42 Kbytes Page：6 Pages	Power MOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTF3055-100T1	文件：70.73 Kbytes Page：6 Pages	Power MOSFET 3.0 Amps 60 Volts N?묬hannel	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTF3055-100T1G	文件：1.01057 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel 60-V (D-S) MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
NTF3055-100T1G	文件：113.78 Kbytes Page：6 Pages	Power MOSFET 3.0 Amps, 60 Volts	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTF3055-100T1G	文件：80.42 Kbytes Page：6 Pages	Power MOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTF3055-100T3	文件：70.73 Kbytes Page：6 Pages	Power MOSFET 3.0 Amps 60 Volts N?묬hannel	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

技术参数

Pb-free：
Pb
Halide free：
H
Status：
Active
Channel Polarity：
N-Channel
Configuration：
Single
V(BR)DSS Min (V)：
60
VGS Max (V)：
20
VGS(th) Max (V)：
4
ID Max (A)：
3
PD Max (W)：
2.1
RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)：
110
Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)：
11
Ciss Typ (pF)：
324
Package Type：
SOT-223-4/TO-261-4D

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多NTF3055-100供应商更新时间2025-7-27 17:06:00

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