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NVD5890N	文件：217.46 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET40V,123A,SingleN?묬hannelDPAK Features •LowRDS(on)toMinimizeConductionLosses •MSL1/260°C •AECQ101QualifiedandPPAPCapable •100AvalancheTested •TheseDevicesarePb−Free,HalogenFree/BFRFreeandareRoHSCompliant Applications •MotorDrivers •PumpDriversforAutomotiveBraking,SteeringandOther	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NVD5890N	文件：116.93 Kbytes Page：7 Pages	PowerMOSFET40V,123A,SingleN?묬hannelDPAK	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NVD5890N	文件：298.38 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=123A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=40V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=3.7mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·PowerSupplies ·InductiveLoads ·PowerMotorControl	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
NVD5890NL	文件：298.6 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=123A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=40V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=3.7mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·PowerSupplies ·InductiveLoads ·PowerMotorControl	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
NVD5890NL	文件：260.01 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=123A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=40V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=3.7mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
NVD5890NL	文件：100.68 Kbytes Page：4 Pages	PowerMOSFET40V,3.7m,123A,SingleN.ChannelDPAK	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
PCE-5890	文件：154.04 Kbytes Page：2 Pages	HandheldRefractometerPCE-5890Honey	PCE PCE Instruments.	PCE
SOM-5890	文件：1.81228 Mbytes Page：2 Pages	Intel짰Core??i7/i5/i3/Celeron짰ProcessorCOM-ExpressBasicModule	ADVANTECHAdvantech Co., Ltd. 研华科技研华科技（中国）有限公司	ADVANTECH
SZ5890	文件：120.84 Kbytes Page：2 Pages	5.0WATT6.8??270VOLTSZENERDIODES	SSDI Solid States Devices, Inc	SSDI
SZ5890	文件：88.42 Kbytes Page：2 Pages	5.0WATT6.8-270VOLTSZENERDIODES	SSDI Solid States Devices, Inc	SSDI

详细参数

型号：
NTE5890
制造商：
NTE Electronics
功能描述：
STANDARD DIODE 12A 1KV DO-4
功能描述：
STANDARD DIODE, 12A, 1KV, DO-4
功能描述：
G/P RECT
功能描述：
STANDARD DIODE, 12A, 1KV, DO-4; Diode
Type：
Standard Recovery; Diode
Configuration：
Single; Repetitive Reverse Voltage Vrrm
Max：
1kV; Forward Current
If(AV)：
12A; Forward Voltage VF
Max：
1.26V; Forward Surge Current Ifsm
Max：
240A ;RoHS
Compliant：
Yes
功能描述：
Diode 1KV 12A 2-Pin DO-4

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
中天科工半导体（深圳）有限公司	NTE5890	NTE	专业模块	MODULE	8513	模块原装主营-可开原型号增税票	询价
深圳市中联芯电子有限公司	NTE5890	NTE	2023+	MODULE	1082	主打螺丝模块系列	询价
贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司	NTE5894	NTE	23+		39500	原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种	询价
现代芯城（深圳）科技有限公司	NTE59		24+	N/A	67000	一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择	询价

更多NTE5890供应商更新时间2025-5-18 14:14:00

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