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NX5330SA	文件：184.13 Kbytes Page：5 Pages	1310nmInGaAsPMQW-FPLASERDIODEFOROTDRAPPLICATIONS	CEL California Eastern Labs	CEL
NX5330SA-AZ	文件：184.13 Kbytes Page：5 Pages	1310nmInGaAsPMQW-FPLASERDIODEFOROTDRAPPLICATIONS	CEL California Eastern Labs	CEL
PBSS5330PA	文件：166.57 Kbytes Page：15 Pages	30V,3APNPlowVCEsattransistor Generaldescription PNPlowVCEsatBreakthroughInSmallSignal(BISS)transistor,encapsulatedinanultrathinSOT1061leadlesssmallSurface-MountedDevice(SMD)plasticpackagewithmediumpowercapability. NPNcomplement:PBSS4330PA. Featuresandbenefits •Lowcollector-emittersaturatio	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
PBSS5330PA	文件：709.22 Kbytes Page：16 Pages	30V,3APNPlowVCEsat(BISS)transistor 1.Generaldescription PNPlowVCEsatBreakthroughInSmallSignal(BISS)transistor,encapsulatedinan ultrathinSOT1061leadlesssmallSurface-MountedDevice(SMD)plasticpackagewith mediumpowercapability. NPNcomplement:PBSS4330PA. 2.Featuresandbenefits •Lowcollector-emitter	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS5330PAS	文件：735.73 Kbytes Page：18 Pages	30V,3APNPlowVCEsat(BISS)transistor Generaldescription PNPlowVCEsatBreakthroughInSmallSignal(BISS)transistor,encapsulatedinanultrathinDFN2020D-3(SOT1061D)leadlesssmallSurface-MountedDevice(SMD)plasticpackagewithmediumpowercapabilityandvisibleandsoldarablesidepads. NPNcomplement:PBSS4330PAS Featu	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS5330X	文件：948.33 Kbytes Page：12 Pages	LowVCEsat(BISS)transistors	PhilipsNXP Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PBSS5330X	文件：104.52 Kbytes Page：12 Pages	30V,3APNPlowVCEsat(BISS)transistor DESCRIPTION PNPlowVCEsattransistorinaSOT89plasticpackage. FEATURES •SOT89(SC-62)package •Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat •Highcollectorcurrentcapability:ICandICM •Higherefficiencyleadingtolessheatgeneration •Reducedprinted-circuitboardrequiremen	PhilipsNXP Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PBSS5330X	文件：422.4 Kbytes Page：13 Pages	30V,3APNPlowVCEsat(BISS)transistor FEATURES •SOT89(SC-62)package •Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat •Highcollectorcurrentcapability:ICandICM •Higherefficiencyleadingtolessheatgeneration •Reducedprinted-circuitboardrequirements. APPLICATIONS •Powermanagement –DC/DCconverters –Supplylines	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PH5330	文件：239.68 Kbytes Page：12 Pages	N-channelenhancementmodefield-effecttransistor Description N-channelenhancementmodefield-effectpowertransistorinaSOT669(LFPAK)package. Productavailability: PH5330inSOT669(LFPAK). Features ■Logiclevelcompatible ■Lowdrivecurrent ■High-densitymounting ■Verylowon-stateresistance. Applications ■DC-to-DCconve	PhilipsNXP Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PH5330E	文件：212.84 Kbytes Page：12 Pages	N-channelTrenchMOSlogiclevelFET Generaldescription LogiclevelN-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inaplasticpackageusingTrenchMOStechnology.Thisproductisdesignedandqualifiedforuseincomputing,communications,consumerandindustrialapplicationsonly. Featuresandbenefits ■Higheroperat	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp

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详细参数

型号：
NTE5330
制造商：
NTE Electronics
功能描述：
BRIDGE RECTIFIER - FULL WAVE SINGLE PHASE 600V 6A
功能描述：
BRIDGE RECTIFIER 1PH 6A 600
功能描述：
BRIDGE RECTIFIER, 1PH, 6A, 600V, SIP-4
功能描述：
R-SI-BRIDGE 600V-6A
功能描述：
BRIDGE RECTIFIER, 1PH, 6A, 600V, SIP-4; No. of
Phases：
Single; Repetitive Reverse Voltage Vrrm
Max：
600V; Forward Current
If(AV)：
6A; Forward Voltage VF
Max：
1V; Bridge Rectifier Case
Style：
SIP; No. of
Pins：
4 ;RoHS
Compliant：
Yes
功能描述：
Diode Rectifier Bridge Single 600V 6A 4-Pin

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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上海金庆电子技术有限公司	NTE5332		新		305	全新原装货期两周	询价
上海市鑫鸿达电子	NTE5332		2022+		301	全新原装货期两周	询价
深圳市近平电子有限公司	NTE5338	N/A	6000	面议	19	MODULE	询价
华富测量(深圳)传感技术有限公司	NTE5338	原厂	2023+	模块	600	专营模块,继电器,公司原装现货	询价
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