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PVI5013R	文件：143.38 Kbytes Page：4 Pages	PHOTOVOLTAICISOLATORSolid-StateOpto-IsolatedMOSFETGateDriverDual-Channel5V,1.0mA GeneralDescription ThePVI5013RPhotovoltaicIsolatorisadualchannel,opto-isolateddrivercapableofdirectlydrivinggatesofpowerMOSFETsorIGBTs.Itutilizesamonolithicintegratedcircuitphotovoltaicgeneratorofnovelconstructionasitsoutput.Theoutputiscontrolledbyradiation	IRF International Rectifier	IRF
PVI5013RPBF	文件：278.8 Kbytes Page：5 Pages	OptoIsolatedMOSFETGateDriver	IRF International Rectifier	IRF
PVI5013RPBF	文件：874.39 Kbytes Page：4 Pages	PhotovoltaicIsolatorSolid-StateOpto-IsolatedMOSFETGateDriverDual-Channel,5V,1.0關A GeneralDescription ThePVI5013RPhotovoltaicIsolatorisadual-channel,opto-isolateddrivercapableofdirectlydrivinggatesofpowerMOSFETsorIGBTs.Itutilizesamonolithicintegratedcircuitphotovoltaicgeneratorofnovelconstructionasitsoutput.Theoutputiscontrolledbyradiation	IRF International Rectifier	IRF
R5013ANJ	文件：268.42 Kbytes Page：6 Pages	10VDriveNchMOSFET	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
R5013ANX	文件：243.7 Kbytes Page：6 Pages	10VDriveNchMOSFET	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
RJK5013DPE	文件：75.79 Kbytes Page：4 Pages	SiliconNChannelMOSFETHighSpeedPowerSwitching Features •Lowon-resistance •Lowleakagecurrent •Highspeedswitching	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
RJK5013DPK	文件：77.1 Kbytes Page：4 Pages	SiliconNChannelMOSFETHighSpeedPowerSwitching Features •Lowon-resistance •Lowleakagecurrent •Highspeedswitching	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
RJK5013DPP	文件：77.35 Kbytes Page：4 Pages	SiliconNChannelMOSFETHighSpeedPowerSwitching Features •Lowon-resistance •Lowleakagecurrent •Highspeedswitching	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
RJL5013DPE	文件：107.62 Kbytes Page：7 Pages	SiliconNChannelMOSFETHighSpeedPowerSwitching	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
RJL5013DPP	文件：189.25 Kbytes Page：6 Pages	SiliconNChannelMOSFETHighSpeedPowerSwitching Features •Built-infastrecoverydiode •Lowon-resistance •Lowleakagecurrent •Highspeedswitching	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS

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详细参数

型号：
NTE5013A
制造商：
NTE Electronics
功能描述：
ZENER DIODE - 6.2V 1/2W 5% DO-35
功能描述：
ZENER DIODE 500mW 6.2V AXIAL
功能描述：
ZENER DIODE, 500mW, 6.2V, AXIAL
功能描述：
ZD-6.2 V- 1/2 W
功能描述：
ZENER DIODE, 500mW, 6.2V, AXIAL; Zener Voltage Vz
Typ：
6.2V; Power Dissipation
Pd：
500mW; Operating Temperature
Min：
-65C; Operating Temperature
Max：
200C; Diode Case
Style：
DO-35; No. of
Pins：
2; Breakdown
Voltage：
1.1V; Diode
Type：
Zener;RoHS
Compliant：
Yes
功能描述：
Diode Zener Single 6.2V 5% 500mW 2-Pin DO-35

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
上海金庆电子技术有限公司	NTE5013A		新		9	全新原装货期两周	询价
上海市鑫鸿达电子	NTE5013A		2022+		5	全新原装货期两周	询价
深圳市近平电子有限公司	NTE5015A	NTEELECTRONI	6000	面议	19	DIP/SMD	询价
贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司	NTE5023A	NTE	23+		39386	原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种	询价
深圳市安罗世纪电子有限公司	NTE5024A	NTE ELECTRONICS INC	2023+	SMD	21056	安罗世纪电子只做原装正品货	询价
标准国际(香港)有限公司	NTE5056A	NTE5056A		96	96		询价
现代芯城（深圳）科技有限公司	NTE51		24+	N/A	46000	一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择	询价

更多NTE5013A供应商更新时间2025-7-12 16:06:00

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