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R5013ANJ

10V Drive Nch MOSFET

•10V驱动型 Nch 功率MOSFET;

ROHM

罗姆

R5013ANJ

10V Drive Nch MOSFET

文件:268.42 Kbytes 页数:6 Pages

ROHM

罗姆

R5013ANX

10V Drive Nch MOSFET

文件:243.7 Kbytes 页数:6 Pages

ROHM

罗姆

RJK5013DPE

Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching

Features • Low on-resistance • Low leakage current • High speed switching

文件:75.79 Kbytes 页数:4 Pages

RENESAS

瑞萨

RJK5013DPK

Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching

Features • Low on-resistance • Low leakage current • High speed switching

文件:77.1 Kbytes 页数:4 Pages

RENESAS

瑞萨

技术参数

  • Status:

    新设计非推荐

  • 封装:

    LPTS (D2PAK)

  • 包装数量:

    1000

  • 最小独立包装数量:

    1000

  • 包装形态:

    Taping

  • RoHS:

    Yes

  • Grade:

    Standard

  • Package Code:

    TO-263 (D2PAK)

  • JEITA Package:

    SC-83

  • Package Size[mm]:

    10.1x13.1 (t=4.5)

  • Number of terminal:

    3

  • Polarity:

    Nch

  • Drain-Source Voltage VDSS[V]:

    500

  • Drain Current ID[A]:

    13.0

  • RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.):

    0.29

  • RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.):

    0.29

  • Total gate charge Qg[nC]:

    35.0

  • Power Dissipation (PD)[W]:

    100.0

  • Drive Voltage[V]:

    10.0

  • Mounting Style:

    Surface mount

  • Storage Temperature (Min.)[°C]:

    -55

  • Storage Temperature (Max.)[°C]:

    150

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
ROHM/罗姆
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更多R5013ANJ供应商 更新时间2025-12-16 11:03:00