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NTE221	文件：24.77 Kbytes Page：2 Pages	MOSFET Dual Gate, N-Channel for VHF TV Receivers Applications Description: TheNTE221isanN–channeldepletiontype,dual–insulatedgate,field–effecttransistorthatutilizesMOSconstruction.ThisdevicehascharacteristicswhichmakesithighlydesirableforuseinRF–amplifierapplications. Features: •ExtremelyLowFeedbackCapacitance •	NTE NTE Electronics	NTE
NYS221	文件：1.68865 Mbytes Page：24 Pages	TINYxlrCableConnectors 3,4and5poleversionsavailable Easytoassemble Robustmetalhousingwithbestflexrelief Shieldedsystem–highnoiseimmunity andEMIprotection Intuitiveandruggedlockingmechanism providessecurelockingsystem Millionfoldprovenchucktypestrainrelief Keyedinsertandstrain	REAN rean	REAN
OMNI-221D	文件：2.56871 Mbytes Page：18 Pages	15.6”OMNIModularTouch/LCDPanelKit Features ■15.6”(1366x768)OMNIModularTouch/LCDKit ■SupportsProjectedCapacitiveMultiTouchorResistiveTouch Screen ■IP65CompliantAluminumFrontBezel	AAEONAAEON Technology 研扬科技研扬科技（苏州）有限公司	AAEON
OMNI-221M	文件：445.57 Kbytes Page：2 Pages	21.5”TouchDisplayMonitor,DC12~30V Features ■21.5”FHD(1920x1080)TFTLCDDisplay ■ProvideProjectiveCapacitiveTouchorResistiveTouchScreen ■IP65AluminumFrontBezel ■DC12~30VwithOverVoltage/Current,UnderVoltageProtection ■OptionalBuilt-inSpeakers	AAEONAAEON Technology 研扬科技研扬科技（苏州）有限公司	AAEON
OP221	文件：193.47 Kbytes Page：12 Pages	DualLowPowerOperationalAmplifier,SingleorDualSupply GENERALDESCRIPTION TheOP221isamonolithicdualoperationalamplifierthatcanbeusedeitherinsingleordualsupplyoperation.Thewidesupplyvoltagerange,wideinputvoltagerange,andlowsupplycurrentdrainoftheOP221makeitwell-suitedforoperationfrombatteriesorunregulatedp	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
OP221	文件：287.99 Kbytes Page：12 Pages	DualLowPowerOperationalAmplifier,SingleorDualSupply	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
OP221	文件：890.36 Kbytes Page：12 Pages	DualLowPowerOperationalAmplifier,SingleorDualSupply	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
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OP-221	文件：362.11 Kbytes Page：8 Pages	DUALLOWPOWEROPERATIONALAMPLIFIER,SINGLEORDUALSUPPLY GENERALDESCRIPTION TheOP221isamonolithicdualoperationalamplifierthatcanbeusedeitherinsingleordualsupplyoperation.Thewidesupplyvoltagerange,wideinputvoltagerange,andlowsupplycurrentdrainoftheOP221makeitwell-suitedforoperationfrombatteriesorunregulatedp	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD

详细参数

型号：
NTE221
制造商：
NTE Electronics
功能描述：
MOSFET N-CHANNEL DUAL GATE 20V IDSS=18MA TO-72 CASE VHF AMP/MIXER APPLICATIONS
功能描述：
MOSFET-N-CHVHF AMP/MIX
功能描述：
DUAL GATE RF MOSFET, N CH 20V, TO72; Transistor
Type：
RF MOSFET; Drain Source Voltage
Vds：
20V; Continuous Drain Current
Id：
18mA; Power Dissipation
Pd：
400mW; Noise Figure
Typ：
5dB; Operating Temperature
Min：
-65C; No. of
Pins：
3 ;RoHS
Compliant：
Yes
功能描述：
Trans RF MOSFET N-CH 20V 4-Pin TO-72

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