NTE221中文资料JFETs (N & P Channel)数据手册NTE规格书
NTE221规格书详情
描述 Description
Description:
The NTE221 is an N–channel depletion type, dual–insulated gate, field–effect transistor that utilizes MOS construction. This device has characteristics which makes it highly desirable for use in RF–amplifier applications.Features:
• Extremely Low Feedback Capacitance
• High Power Gain
技术参数
- 型号：
NTE221
- 制造商：
NTE Electronics
- 功能描述：
MOSFET N-CHANNEL DUAL GATE 20V IDSS=18MA TO-72 CASE VHF AMP/MIXER APPLICATIONS
- 功能描述：
MOSFET-N-CHVHF AMP/MIX
- 功能描述：
DUAL GATE RF MOSFET, N CH 20V, TO72; Transistor
- Type：
RF MOSFET; Drain Source Voltage
- Vds：
20V; Continuous Drain Current
- Id：
18mA; Power Dissipation
- Pd：
400mW; Noise Figure
- Typ：
5dB; Operating Temperature
- Min：
-65C; No. of
- Pins：
3 ;RoHS
- Compliant：
Yes
- 功能描述：
Trans RF MOSFET N-CH 20V 4-Pin TO-72
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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