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NTE2114

Integrated Circuit MOS, Static 4K RAM, 300ns

文件:29.02 Kbytes 页数:4 Pages

NTE

NTE2114

MICROPROCESSOR & MEMORY CIRCUITS

文件:165.96 Kbytes 页数:1 Pages

NTE

NTE2114

MICROPROCESSOR & MEMORY CIRCUITS (INCLUDES PERIPHERALS)

NTE

NUF2114

2 Line Audio EMI Filter with ESD Protection

文件:128.1 Kbytes 页数:4 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NUF2114MN

2 Line Audio EMI Filter with ESD Protection

文件:172.17 Kbytes 页数:4 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NUF2114MN

2 Line Audio EMI Filter with ESD Protection

文件:126.48 Kbytes 页数:4 Pages

ONSEMI

安森美半导体

详细参数

  • 型号:

    NTE2114

  • 制造商:

    NTE Electronics

  • 功能描述:

    Bulk

  • 功能描述:

    IC SRAM 4KBIT SERIAL 300NS 18-DIP

  • 功能描述:

    IC, SRAM, 4KBIT, SERIAL, 300NS, 18-DIP

  • 功能描述:

    IC-MOS 4K SRAM

  • 功能描述:

    IC, SRAM, 4KBIT, SERIAL, 300NS, 18-DIP; Memory

  • Size:

    4Kbit; Supply Voltage

  • Min:

    4.75V; Supply Voltage

  • Max:

    5.25V; Memory Case

  • Style:

    DIP; No. of

  • Pins:

    18; Access

  • Time:

    300ns; Operating Temperature

  • Min:

    0C; Operating Temperature

  • Max:

    70C

  • Size:

    4Kbit; Memory

  • Configuration:

    (Not Available); Supply Voltage

  • Time:

    300ns; Interface

  • Type:

    Serial

  • 功能描述:

    SRAM Chip Async Single 5V 4K-Bit 1K x 4-Bit 300ns 18-Pin PDIP

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更多NTE2114供应商 更新时间2025-10-4 11:06:00