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NTD5865NLT4G

N-Channel Power MOSFET

文件:108.19 Kbytes 页数:7 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NTD5865NT4G

N-Channel Power MOSFET 60 V, 38 A, 18 m

文件:113.99 Kbytes 页数:7 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NTD5865N

功率 MOSFET 60V 43A 18mΩ 单 N 沟道,DPAK

功率 MOSFET 单 N 沟道,60V,43A,DPAK/IPAK • Low RDS(on)\n• 100% avalanche tested\n• Pb-free, Halide-free;

ONSEMI

安森美半导体

NTD5865NL

单 N 沟道逻辑电平功率 MOSFET 60V,46A,16mΩ

Power MOSFET 60V 34A 16mOhm Single N-Channel DPAK/DPAK Logic Level • Low RDS(on)\n• Minimal condution losses\n• High Current Capability\n• Robust load performance\n• 100% Avalanche Tested\n• Voltage overstress safeguard\n• RoHS Compliant;

ONSEMI

安森美半导体

技术参数

  • Pb-free:

    Pb

  • Halide free:

    H

  • Status:

    Active

  • Channel Polarity:

    N-Channel

  • Configuration:

    Single

  • V(BR)DSS Min (V):

    60

  • VGS Max (V):

    20

  • VGS(th) Max (V):

    2

  • ID Max (A):

    40

  • PD Max (W):

    71

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ):

    19

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ):

    16

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC):

    29

  • Ciss Typ (pF):

    1400

  • Package Type:

    DPAK-3

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多NTD5865供应商 更新时间2026-4-17 13:01:00