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NTD5865	文件：452.59 Kbytes Page：6 Pages	丝印：5865NLG；Package：TO-252；60V N -Channel MOSFET Features Low Gate Charge Fast Switching High Current Capability • VDS(V) = 60V ID =46A (VGS = 10V) RDS(ON) 文件：452.59 Kbytes 页数：6 Pages	UMW 友台半导体	UMW
NTD5865	文件：113.99 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel Power MOSFET 60 V, 38 A, 18 m 文件：113.99 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTD5865	文件：108.19 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel Power MOSFET 文件：108.19 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTD5865N	文件：299.5 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 43A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 60V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 18mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. 文件：299.5 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
NTD5865N-1	文件：318.01 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 43A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 60V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 18mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. 文件：318.01 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
NTD5865NL	文件：299.23 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 46A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 60V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 16mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. 文件：299.23 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
NTD5865NL-1	文件：317.75 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 46A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 60V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 16mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. 文件：317.75 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
NTD5865NLT4G	文件：452.59 Kbytes Page：6 Pages	丝印：5865NLG；Package：TO-252；60V N -Channel MOSFET Features Low Gate Charge Fast Switching High Current Capability • VDS(V) = 60V ID =46A (VGS = 10V) RDS(ON) 文件：452.59 Kbytes 页数：6 Pages	UMW 友台半导体	UMW
NTD5865NLT4G	文件：1.09332 Mbytes Page：4 Pages	N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features  VDS= 60V, ID= 50A RDS(ON) 文件：1.09332 Mbytes 页数：4 Pages	BYCHIP 百域芯	BYCHIP
NTD5865N	文件：2.23362 Mbytes Page：5 Pages	N-Channel MOSFET uses advanced trench technology 文件：2.23362 Mbytes 页数：5 Pages	DOINGTER 杜因特	DOINGTER

技术参数

Pb-free：
Pb
Halide free：
H
Status：
Active
Channel Polarity：
N-Channel
Configuration：
Single
V(BR)DSS Min (V)：
60
VGS Max (V)：
20
VGS(th) Max (V)：
2
ID Max (A)：
40
PD Max (W)：
71
RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)：
19
RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)：
16
Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)：
29
Ciss Typ (pF)：
1400
Package Type：
DPAK-3

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市安富世纪电子有限公司	NTD5865	ON	23+	TO-252	18	全新原装正品现货,支持订货	询价
深圳市创新迹电子有限公司	NTD5865	ON	22+	TO-252	20000	公司只做原装品质保障	询价
深圳市联世界科技有限公司	NTD5865N-1G	ON	24+/25+		70	原装正品现货库存价优	询价
深圳市鹏和科技有限公司	NTD5865NT4G	ST	24+	TO-252	5000	只做原装公司现货	询价
深圳市海天鸿电子科技有限公司	NTD5865N-1G	ON	1651+	?	7500	只做原装进口,假一罚十	询价
深圳市华来深电子有限公司	NTD5865NT4G	ON	23+	TO-252	11846	一级代理商现货批发,原装正品,假一罚十	询价
深圳市纳立科技有限公司	NTD5865NLT4G		三年内		1983	只做原装正品	询价
深圳市赛芯源科技有限公司	NTD5865NT4G	ON	18+	TO-252	41200	原装正品,现货特价	询价
中天科工半导体（深圳）有限公司	NTD5865NL	ON	20+	TO-252	36900	原装优势主营型号-可开原型号增税票	询价
深圳市欧亚佳电子有限公司	NTD5865NLT4G	ON	20+	SMD	11520	特价全新原装公司现货	询价

更多NTD5865供应商更新时间2026-4-17 13:01:00

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