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NTD360N80S3Z

丝印:NTD360N80S3Z;Package:TO-252;MOSFET ??Power, N-Channel, SUPERFET III 800 V, 360 m, 13 A

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安森美半导体

NTD360N80S3Z

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ONSEMI

安森美半导体

NTD360N80S3Z

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current -ID= 13A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 800V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 0.36Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive.

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