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NTD20N06数据手册ONSEMI中文资料规格书

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厂商型号

NTD20N06

功能描述

单 N 沟道功率 MOSFET 60V,20A,46mΩ

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

数据手册

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更新时间

2025-8-6 23:00:00

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NTD20N06规格书详情

描述 Description

Designed for low voltage, high speed switching applications in power supplies, converters and power motor controls and bridge circuits.

特性 Features

• Lower RDS(on)
• Lower VDS(on)
• Lower Capacitances
• Lower Total Gate Charge
• Lower and Tighter VSD
• Lower Diode Reverse Recovery Time
• Lower Reverse Recovery Stored Charge
• RoHS Compliant

应用 Application

• Power Supplies
• Converters
• Power Motor Controls
• Bridge Circuits

技术参数

  • 制造商编号

    :NTD20N06

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :N-Channel

  • Configuration

    :Single

  • V(BR)DSS Min (V)

    :60

  • VGS Max (V)

    :20

  • VGS(th) Max (V)

    :4

  • ID Max (A)

    :20

  • PD Max (W)

    :60

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :46

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :16

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :21

  • Ciss Typ (pF)

    :725

  • Package Type

    :DPAK-3

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