NTD110N02R中文资料单 N 沟道，功率 MOSFET，24V，110A，4.6mΩ数据手册ONSEMI规格书

描述 Description

Power MOSFET 24V 110A 4.6 mOhm Single N-Channel DPAK

特性 Features

• Planar HD3e Process for Fast Switching Performance
• Low RDS(on) to Minimize Conduction Loss
• Low Ciss to Minimize Driver Loss
• Optimized for High Side Switching Requirements in High−Efficiency DC−DC Converters
• Low Gate Charge
• RoHS Compliant

应用 Application

• This product is general usage and suitable for many different applications

简介

NTD110N02R属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个。由制造生产的NTD110N02R晶体管 - FET，MOSFET - 单个分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。