NTD18N06中文资料功率 MOSFET，60V，18A，60mΩ，单 N 沟道，DPAK数据手册ONSEMI规格书
NTD18N06规格书详情
描述 Description
适用于电源、转换器、功率电机控制和桥式电路中的低压高速开关应用。
特性 Features
• Pb-Free Packages are Available
应用 Application
Power Supplies Converters Power Motor Controls Bridge Circuits
技术参数
- 型号：
NTD18N06
- 功能描述：
MOSFET 60V 18A N-Channel
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON(安森美) |
23+ |
NA |
20094 |
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ON/安森美 |
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18000 |
原装正品 |
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ON |
24+ |
NA |
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