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NTD20N03L27中文资料单 N 沟道逻辑电平功率 MOSFET 30V,20A,27mΩ数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

NTD20N03L27

功能描述

单 N 沟道逻辑电平功率 MOSFET 30V,20A,27mΩ

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-23 13:07:00

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NTD20N03L27规格书详情

描述 Description

This logic level vertical power MOSFET is a general purpose part that provides the \"best of design\" available today in a low cost power package. Avalanche energy issues make this part an ideal design in. The drain-to-source diode has a ideal fast but soft recovery.

特性 Features

• Ultra-Low RDS(on) , Single Base, Advanced Technology
• SPICE Parameters Available
• Diode is Characterized for Use in Bridge Circuits
• IDSS and VDS(on) Specified at Elevated Temperature
• High Avalanche Energy Specified
• ESD JEDAC rated HBM Class 1, MM Class A, CDM Class 0
• RoHS Compliant

应用 Application

• Power Supplies
• Inductive Loads
• PWM Motor Controls
• Replaces MTD20N03L in many applications

技术参数

  • 制造商编号

    :NTD20N03L27

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :N-Channel

  • Configuration

    :Single

  • V(BR)DSS Min (V)

    :30

  • VGS Max (V)

    :20

  • VGS(th) Max (V)

    :2

  • ID Max (A)

    :20

  • PD Max (W)

    :55.5

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :29

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :-

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :-

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :13.8

  • Ciss Typ (pF)

    :1005

  • Package Type

    :DPAK-3

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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