NTBL060N065SC1中文资料安森美半导体数据手册PDF规格书

厂商型号	NTBL060N065SC1
功能描述	Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 44mohm, 650V, M2, TOLL
文件大小	451.77 Kbytes
页面数量	8 页
生产厂商	ONSEMI
中文名称	安森美半导体
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更新时间	2025-12-10 20:00:00
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特性 Features

• Typ. RDS(on) = 44 m @ VGS = 18 V

Typ. RDS(on) = 60 m @ VGS = 15 V

• Ultra Low Gate Charge (QG(tot) = 74 nC)

• High Speed Switching with Low Capacitance (Coss = 133 pF)

• 100 Avalanche Tested

• TJ = 175°C

• RoHS Compliant

Typical Applications

• SMPS (Switching Mode Power Supplies)

• Solar Inverters

• UPS (Uninterruptable Power Supplies)

• Energy Storages

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