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NTBL023N065M3S中文资料安森美半导体数据手册PDF规格书

NTBL023N065M3S
厂商型号

NTBL023N065M3S

功能描述

Silicon Carbide (SiC) MOSFET – EliteSiC, 23 mohm, 650V, M3S, TOLL

文件大小

583.3 Kbytes

页面数量

10

生产厂商 ON Semiconductor
企业简称

ONSEMI安森美半导体

中文名称

安森美半导体公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-5-17 9:30:00

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NTBL023N065M3S规格书详情

Features

• Typical RDS(on) = 23 m @ VGS = 18 V

• Ultra Low Gate Charge (QG(tot) = 69 nC)

• High Speed Switching with Low Capacitance (Coss = 152 pF)

• 100% Avalanche Tested

• This Device is Halide Free and RoHS Compliant with Exemption 7a,

Pb−Free 2LI (on second level interconnection)

Applications

• SMPS (Switching Mode Power Supplies)

• Solar Inverters

• UPS (Uninterruptable Power Supplies)

• Energy Storage

• Infrastructure

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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