NTBL045N065SC1中文资料安森美半导体数据手册PDF规格书

厂商型号	NTBL045N065SC1
功能描述	Silicon Carbide (SiC) MOSFET - 33 mohm, 650V, M2, TOLL
丝印标识	TBL045065SC1
封装外壳	H-PSOF8L
文件大小	240.12 Kbytes
页面数量	8 页
生产厂商	ONSEMI
中文名称	安森美半导体
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更新时间	2025-10-9 23:00:00
人工找货	NTBL045N065SC1价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货

特性 Features

• Typ. RDS(on) = 33 m @ VGS = 18 V

Typ. RDS(on) = 45 m @ VGS = 15 V

• Ultra Low Gate Charge (QG(tot) = 105 nC)

• Low Effective Output Capacitance (Coss = 162 pF)

• 100 Avalanche Tested

• TJ = 175°C

• RoHS Compliant

Typical Applications

• SMPS (Switching Mode Power Supplies)

• Solar Inverters

• UPS (Uninterruptable Power Supplies)

• Energy Storage

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