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NTBG045N065SC1	文件：325.13 Kbytes Page：8 Pages	Silicon Carbide (SiC) MOSFET – 31 mohm, 650V, M2, D2PAK-7L Features •Typ.RDS(on)=31m@VGS=18V Typ.RDS(on)=45m@VGS=15V •UltraLowGateCharge(QG(tot)=105nC) •LowEffectiveOutputCapacitance(Coss=168pF) •100AvalancheTested •TJ=175°C •ThisDeviceisHalideFreeandRoHSCompliantwithexemption7a, Pb−Free2LI(o	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTBG045N065SC1	文件：324.43 Kbytes Page：8 Pages	Silicon Carbide (SiC) MOSFET – EliteSiC, 31mohm, 650V, M2, D2PAK-7L Features •Typ.RDS(on)=31m@VGS=18V Typ.RDS(on)=45m@VGS=15V •UltraLowGateCharge(QG(tot)=105nC) •LowEffectiveOutputCapacitance(Coss=168pF) •100AvalancheTested •TJ=175°C •ThisDeviceisHalideFreeandRoHSCompliantwithexemption7a, Pb−Free2LI(o	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTBG045N065SC1	文件：296.84 Kbytes Page：9 Pages	Marking：BG045N065SC1；Package：D2PAK-7L；MOSFET ??SiC Power, Single N-Channel, D2PAK-7L 650 V, 31 m, 62 A	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTBG045N065SC1_V01	文件：325.13 Kbytes Page：8 Pages	Silicon Carbide (SiC) MOSFET – 31 mohm, 650V, M2, D2PAK-7L Features •Typ.RDS(on)=31m@VGS=18V Typ.RDS(on)=45m@VGS=15V •UltraLowGateCharge(QG(tot)=105nC) •LowEffectiveOutputCapacitance(Coss=168pF) •100AvalancheTested •TJ=175°C •ThisDeviceisHalideFreeandRoHSCompliantwithexemption7a, Pb−Free2LI(o	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTBG045N065SC1_V02	文件：324.43 Kbytes Page：8 Pages	Silicon Carbide (SiC) MOSFET – EliteSiC, 31mohm, 650V, M2, D2PAK-7L Features •Typ.RDS(on)=31m@VGS=18V Typ.RDS(on)=45m@VGS=15V •UltraLowGateCharge(QG(tot)=105nC) •LowEffectiveOutputCapacitance(Coss=168pF) •100AvalancheTested •TJ=175°C •ThisDeviceisHalideFreeandRoHSCompliantwithexemption7a, Pb−Free2LI(o	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTBL045N065SC1	文件：240.12 Kbytes Page：8 Pages	SiliconCarbide(SiC)MOSFET-33mohm,650V,M2,TOLL Features •Typ.RDS(on)=33m@VGS=18V Typ.RDS(on)=45m@VGS=15V •UltraLowGateCharge(QG(tot)=105nC) •LowEffectiveOutputCapacitance(Coss=162pF) •100AvalancheTested •TJ=175°C •RoHSCompliant TypicalApplications •SMPS(SwitchingModePowerSupplies)	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTHL045N065SC1	文件：278.79 Kbytes Page：8 Pages	SiliconCarbideSiCMOSFET-32mohm,650V,M2,TO-247-3L Features •Typ.RDS(on)=32m@VGS=18V Typ.RDS(on)=42m@VGS=15V •UltraLowGateCharge(QG(tot)=105nC) •HighSpeedSwitchingwithLowCapacitance(Coss=162pF) •100AvalancheTested •TJ	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTMT045N065SC1	文件：312.73 Kbytes Page：5 Pages	SiliconCarbide(SiC)MOSFET-33mohm,650V,M2,Power88 Features •Typ.RDS(on)=33m@VGS=18V Typ.RDS(on)=45m@VGS=15V •UltraLowGateCharge(QG(tot)=105nC) •LowEffectiveOutputCapacitance(Coss=162pF) •100AvalancheTested •TJ=175°C •RoHSCompliant TypicalApplications •SMPS(SwitchingModePowerSupplies)	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTMT045N065SC1	文件：557.7 Kbytes Page：8 Pages	SiliconCarbide(SiC)MOSFET-33mohm,650V,M2,Power88 Features Typ.RDS(on)=33m@VGS=18V Typ.RDS(on)=45m@VGS=15V UltraLowGateCharge(QG(tot)=105nC) LowEffectiveOutputCapacitance(Coss=162pF) 100AvalancheTested TJ=175C RoHSCompliant TypicalApplications SMPS(SwitchingModePowerSupplies)	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NVBG045N065SC1	文件：298.27 Kbytes Page：8 Pages	SiliconCarbideSiCMOSFET-31mohm,650V,M2,D2PAK-71 Features •Typ.RDS(on)=31m@VGS=18V Typ.RDS(on)=45m@VGS=15V •UltraLowGateCharge(QG(tot)=105nC) •LowEffectiveOutputCapacitance(Coss=168pF) •100AvalancheTested •AEC−Q101QualifiedandPPAPCapable •ThisDeviceisHalideFreeandRoHSCompliantwithexem	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

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