Silicon Carbide (SiC) MOSFET – EliteSiC, 31mohm, 650V, M2, D2PAK-7L

Features • Typ. RDS(on) = 31 m @ VGS = 18 V Typ. RDS(on) = 45 m @ VGS = 15 V • Ultra Low Gate Charge (QG(tot) = 105 nC) • Low Effective Output Capacitance (Coss = 168 pF) • 100 Avalanche Tested • TJ = 175°C • This Device is Halide Free and RoHS Compliant with exemption 7a, Pb−Free 2LI (o

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ONSEMI

安森美半导体

DIP-2

RUILON瑞隆源

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SMD

TDK

东电化

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DIP

VISHAY/威世

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AXIA

VISHAY/威世

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