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NTBG040N120SC1	文件：333.69 Kbytes Page：8 Pages	Silicon Carbide (SiC) MOSFET – 40 mohm, 1200V, M1, D2PAK-7 Features • Typ. RDS(on) = 40 m • Ultra Low Gate Charge (Typ. QG(tot) = 106 nC) • Low Effective Output Capacitance (Typ. Coss = 139 pF) • 100 Avalanche Tested • TJ = 175°C • This Device is Halide Free and RoHS Compliant with exemption 7a, Pb−Free 2LI (on second level interconnection) Typ 文件：333.69 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTBG040N120SC1	文件：330.93 Kbytes Page：8 Pages	Silicon Carbide (SiC) MOSFET – EliteSiC, 40mohm, 1200V, M1, D2PAK-7 Features • Typ. RDS(on) = 40 m • Ultra Low Gate Charge (Typ. QG(tot) = 106 nC) • Low Effective Output Capacitance (Typ. Coss = 139 pF) • 100 Avalanche Tested • TJ = 175°C • This Device is Halide Free and RoHS Compliant with exemption 7a, Pb−Free 2LI (on second level interconnection) Typ 文件：330.93 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTBG040N120SC1	文件：249.91 Kbytes Page：8 Pages	MOSFET ??SiC Power, Single N-Channel, D2PAK-7L 1200 V, 40 m, 60 A 文件：249.91 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTBG040N120SC1	文件：300 bytes Page：1 Pages	Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 40 mohm, 1200 V, M1, D2PAK−7L Silicon Carbide (SiC) MOSFET uses a completely new technology thatprovidesuperiorswitching performanceandhigherreliability compared to Silicon. In addition, the low ON resistance and compact chipsizeensurelowcapacitanceandgatecharge.Consequently, system benefits include highest efficiency, faster op • Low On Resistance\n• RDSson = 40mΩ typ\n• Ultra Low Gate Charge\n• QG(tot) = 106 nC\n• High Speed Switching and Low Capacitance\n• 100% UIL Tested\n• Devices are RoHS Compliant;	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTBG040N120SC1_V01	文件：333.69 Kbytes Page：8 Pages	Silicon Carbide (SiC) MOSFET – 40 mohm, 1200V, M1, D2PAK-7 Features • Typ. RDS(on) = 40 m • Ultra Low Gate Charge (Typ. QG(tot) = 106 nC) • Low Effective Output Capacitance (Typ. Coss = 139 pF) • 100 Avalanche Tested • TJ = 175°C • This Device is Halide Free and RoHS Compliant with exemption 7a, Pb−Free 2LI (on second level interconnection) Typ 文件：333.69 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTBG040N120SC1_V02	文件：330.93 Kbytes Page：8 Pages	Silicon Carbide (SiC) MOSFET – EliteSiC, 40mohm, 1200V, M1, D2PAK-7 Features • Typ. RDS(on) = 40 m • Ultra Low Gate Charge (Typ. QG(tot) = 106 nC) • Low Effective Output Capacitance (Typ. Coss = 139 pF) • 100 Avalanche Tested • TJ = 175°C • This Device is Halide Free and RoHS Compliant with exemption 7a, Pb−Free 2LI (on second level interconnection) Typ 文件：330.93 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

技术参数

Pb-free：
Pb
Halide free：
H
Status：
Active
Channel Polarity：
N-Channel
Configuration：
Single
Blocking Voltage BVDSS (V)：
1200
ID(max) (A)：
60
RDS(on) Typ @ 25°C (Ω)：
40
Qg Total (C)：
106
Output Capacitance (C)：
139
Tj Max (°C)：
175
Package Type：
D2PAK7 (TO-263-7L HV)

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