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NTBG020N120SC1	文件：349.03 Kbytes Page：7 Pages	Silicon Carbide (SiC) MOSFET – 20 mohm, 1200V, M1, D2PAK-7L Features • Typ. RDS(on) = 20 m • Ultra Low Gate Charge (QG(tot) = 220 nC) • High Speed Switching with Low Capacitance (Coss = 258 pF) • 100 Avalanche Tested • TJ = 175°C • This Device is Halide Free and RoHS Compliant with exemption 7a, Pb−Free 2LI (on second level interconnection) Typi 文件：349.03 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTBG020N120SC1	文件：346.77 Kbytes Page：7 Pages	Silicon Carbide (SiC) MOSFET – EliteSiC, 20mohm, 1200V, M1, D2PAK-7L Features • Typ. RDS(on) = 20 m • Ultra Low Gate Charge (QG(tot) = 220 nC) • High Speed Switching with Low Capacitance (Coss = 258 pF) • 100 Avalanche Tested • TJ = 175°C • This Device is Halide Free and RoHS Compliant with exemption 7a, Pb−Free 2LI (on second level interconnection) Typi 文件：346.77 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTBG020N120SC1	文件：368.04 Kbytes Page：7 Pages	MOSFET - Power, Silicon Carbide, Single N-Channel, D2PAK7L, 1200 V, 98 A, 20 mOhm 文件：368.04 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTBG020N120SC1	文件：300 bytes Page：1 Pages	Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 20 mohm, 1200 V, M1, D2PAK-7L Silicon Carbide (SiC) MOSFET uses a completely new technology thatprovidesuperiorswitching performanceandhigherreliability compared to Silicon. In addition, the low ON resistance and compact chipsizeensurelowcapacitanceandgatecharge.Consequently, system benefits include highest efficiency, faster op • Low On Resistance\n• RDSson = 20mΩ typ\n• Ultra Low Gate Charge\n• 220nC typ\n• High Junction Temperature\n• Tj = 175C\n• High UIS, Surge Current, and Avalanche\n• 264mJ;	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTBG020N120SC1_V01	文件：349.03 Kbytes Page：7 Pages	Silicon Carbide (SiC) MOSFET – 20 mohm, 1200V, M1, D2PAK-7L Features • Typ. RDS(on) = 20 m • Ultra Low Gate Charge (QG(tot) = 220 nC) • High Speed Switching with Low Capacitance (Coss = 258 pF) • 100 Avalanche Tested • TJ = 175°C • This Device is Halide Free and RoHS Compliant with exemption 7a, Pb−Free 2LI (on second level interconnection) Typi 文件：349.03 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTBG020N120SC1_V02	文件：346.77 Kbytes Page：7 Pages	Silicon Carbide (SiC) MOSFET – EliteSiC, 20mohm, 1200V, M1, D2PAK-7L Features • Typ. RDS(on) = 20 m • Ultra Low Gate Charge (QG(tot) = 220 nC) • High Speed Switching with Low Capacitance (Coss = 258 pF) • 100 Avalanche Tested • TJ = 175°C • This Device is Halide Free and RoHS Compliant with exemption 7a, Pb−Free 2LI (on second level interconnection) Typi 文件：346.77 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

技术参数

Pb-free：
Pb
Halide free：
H
Status：
Active
Channel Polarity：
N-Channel
Configuration：
Single
V(BR)DSS Min (V)：
1200
VGS Max (V)：
25
VGS(th) Max (V)：
4.3
ID Max (A)：
98
PD Max (W)：
468
RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)：
NA
RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)：
NA
RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)：
NA
Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)：
NA
Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)：
NA
Ciss Typ (pF)：
2943
Package Type：
D2PAK7 (TO-263-7L HV)

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