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NSVBAT54LT1G	文件：87.03 Kbytes Page：4 Pages	Schottky Barrier Diodes SchottkyBarrierDiodes TheseSchottkybarrierdiodesaredesignedforhighspeedswitchingapplications,circuitprotection,andvoltageclamping.Extremelylowforwardvoltagereducesconductionloss.Miniaturesurfacemountpackageisexcellentforhandheldandportableapplicationswherespa	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
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FDR54LT1G	文件：123.45 Kbytes Page：3 Pages	SchottkyBarrierDiodes	FS First Silicon Co., Ltd	FS
LBAT54LT1	文件：76.33 Kbytes Page：3 Pages	DualSeriesSchottkyBarrierDiodes	LRCLeshan Radio Co., Ltd 乐山无线电乐山无线电股份有限公司	LRC
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LBAT54LT1G	文件：78.46 Kbytes Page：3 Pages	DualSeriesSchottkyBarrierDiodesExtremelyFastSwitchingSpeed	LRCLeshan Radio Co., Ltd 乐山无线电乐山无线电股份有限公司	LRC

产品属性

产品编号：
NSVBAT54LT1G
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
二极管类型：
肖特基
电流 - 平均整流 (Io)：
200mA
速度：
小信号 =< 200mA（Io），任意速度
不同 Vr、F 时电容：
10pF @ 1V，1MHz
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：
SOT-23-3（TO-236）
工作温度 - 结：
-55°C ~ 125°C
描述：
DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOT23-3

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更多NSVBAT54LT1G供应商更新时间2024-4-29 10:00:00

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