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NSVBAT54LT1G分立半导体产品的二极管-整流器-单规格书PDF中文资料

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厂商型号

NSVBAT54LT1G

参数属性

NSVBAT54LT1G 封装/外壳为TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的二极管-整流器-单;产品描述:DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOT23-3

功能描述

Schottky Barrier Diodes
DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOT23-3

封装外壳

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

文件大小

87.03 Kbytes

页面数量

4

生产厂商

ONSEMI

中文名称

安森美半导体

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数据手册

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更新时间

2025-11-26 23:00:00

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NSVBAT54LT1G规格书详情

NSVBAT54LT1G属于分立半导体产品的二极管-整流器-单。由安森美半导体制造生产的NSVBAT54LT1G二极管 - 整流器 - 单单整流器二极管系列产品可用于让电流仅沿一个方向流动,并且每个器件封装都恰好实现该功能的一个实例。其他用途的二极管(包括齐纳二极管和可变电容二极管)单独列在各自的产品系列中,每个器件封装中包含多个二极管的产品也是如此。

Schottky Barrier Diodes

These Schottky barrier diodes are designed for high speed switching applications, circuit protection, and voltage clamping. Extremely low forward voltage reduces conduction loss. Miniature surface mount package is excellent for hand held and portable applications where space is limited.

• Extremely Fast Switching Speed

• Low Forward Voltage − 0.35 Volts (Typ) @ IF = 10 mAdc

• NSV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring

Unique Site and Control Change Requirements; AEC−Q101

Qualified and PPAP Capable

• These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS

Compliant

产品属性

更多
  • 产品编号:

    NSVBAT54LT1G

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 二极管类型:

    肖特基

  • 电流 - 平均整流 (Io):

    200mA

  • 速度:

    小信号 =< 200mA(Io),任意速度

  • 不同 Vr、F 时电容:

    10pF @ 1V,1MHz

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供应商器件封装:

    SOT-23-3(TO-236)

  • 工作温度 - 结:

    -55°C ~ 125°C

  • 描述:

    DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOT23-3

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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