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NSV2SC5658M3T5G中文资料NPN Silicon General Purpose Amplifier Transistor数据手册ONSEMI规格书

厂商型号 |
NSV2SC5658M3T5G |
参数属性 | NSV2SC5658M3T5G 封装/外壳为SOT-723;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN 50V 0.15A SOT723 |
功能描述 | NPN Silicon General Purpose Amplifier Transistor |
封装外壳 | SOT-723 |
制造商 | ONSEMI ON Semiconductor |
中文名称 | 安森美半导体 |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-9-26 20:00:00 |
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NSV2SC5658M3T5G规格书详情
简介
NSV2SC5658M3T5G属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由制造生产的NSV2SC5658M3T5G晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。
技术参数
更多- 产品编号:
NSV2SC5658M3T5G
- 制造商:
onsemi
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
- 包装:
卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 晶体管类型:
NPN
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):
400mV @ 5mA,50mA
- 电流 - 集电极截止(最大值):
500nA(ICBO)
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):
120 @ 1mA,6V
- 频率 - 跃迁:
180MHz
- 工作温度:
-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
SOT-723
- 供应商器件封装:
SOT-723
- 描述:
TRANS NPN 50V 0.15A SOT723
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
ON/安森美 |
24+ |
NA/ |
3000 |
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询价 | ||
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
询价 | ||||
ONSEMI |
21+ |
SOT-23 |
3968 |
百域芯优势 实单必成 可开13点增值税 |
询价 | ||
ON(安森美) |
23+ |
NA |
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ON/安森美 |
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SOT23 |
9000 |
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ON/安森美 |
21+ |
SOT-23-3 |
8080 |
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ON/安森美 |
24+ |
SOT-23-3 |
30000 |
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onsemi |
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ON/安森美 |
23+ |
SOT-23 |
50000 |
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