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NSV2SC5658M3T5G	文件：101.69 Kbytes Page：5 Pages	NPN Silicon General Purpose Amplifier Transistor	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NSV2SC5658M3T5G	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：SOT-723；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 50V 0.15A SOT723	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
2SC5658M3T5G	文件：130.81 Kbytes Page：4 Pages	NPNSiliconGeneralPurposeAmplifierTransistor NPNSiliconGeneralPurposeAmplifierTransistor ThisNPNtransistorisdesignedforgeneralpurposeamplifierapplications.ThisdeviceishousedintheSOT-723packagewhichisdesignedforlowpowersurfacemountapplications,whereboardspaceisatapremium. Features •ReducesBoardSpace	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
2SC5658M3T5G	文件：48.12 Kbytes Page：4 Pages	NPNSiliconGeneralPurposeAmplifierTransistor NPNSiliconGeneralPurposeAmplifierTransistor ThisNPNtransistorisdesignedforgeneralpurposeamplifierapplications.ThisdeviceishousedintheSOT-723packagewhichisdesignedforlowpowersurfacemountapplications,whereboardspaceisatapremium. •ReducesBoardSpace •Highh	VAISH Vaishali Semiconductor	VAISH
2SC5658M3T5G	文件：101.69 Kbytes Page：5 Pages	NPNSiliconGeneralPurposeAmplifierTransistor	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
L2SC5658M3T5G	文件：79.74 Kbytes Page：4 Pages	GeneralPurposeAmplifierNPNSiliconTransistor	LRCLeshan Radio Company 乐山无线电乐山无线电股份有限公司	LRC

产品属性

产品编号：
NSV2SC5658M3T5G
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
400mV @ 5mA，50mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
500nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
120 @ 1mA，6V
频率 - 跃迁：
180MHz
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
SOT-723
供应商器件封装：
SOT-723
描述：
TRANS NPN 50V 0.15A SOT723

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更多NSV2SC5658M3T5G供应商更新时间2025-5-19 23:00:00

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