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NSV1C201MZ4T1G数据手册分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF

厂商型号 |
NSV1C201MZ4T1G |
参数属性 | NSV1C201MZ4T1G 封装/外壳为TO-261-4,TO-261AA;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN 100V 2A SOT223 |
功能描述 | NPN Transistor |
封装外壳 | TO-261-4,TO-261AA |
制造商 | ONSEMI ON Semiconductor |
中文名称 | 安森美半导体 安森美半导体公司 |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-8-6 20:00:00 |
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NSV1C201MZ4T1G规格书详情
简介
NSV1C201MZ4T1G属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由制造生产的NSV1C201MZ4T1G晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。
技术参数
更多- 产品编号:
NSV1C201MZ4T1G
- 制造商:
onsemi
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
- 包装:
卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 晶体管类型:
NPN
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):
180mV @ 200mA,2A
- 电流 - 集电极截止(最大值):
100nA(ICBO)
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):
120 @ 500mA,2V
- 频率 - 跃迁:
100MHz
- 工作温度:
-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
TO-261-4,TO-261AA
- 供应商器件封装:
SOT-223(TO-261)
- 描述:
TRANS NPN 100V 2A SOT223
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
ON/安森美 |
22+ |
SOT-223 |
100000 |
代理渠道/只做原装/可含税 |
询价 | ||
ON/安森美 |
25+ |
SOT223 |
996880 |
只做原装,欢迎来电资询 |
询价 | ||
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
询价 | ||||
ON/安森美 |
25+ |
SOT-223 |
37719 |
ON/安森美全新特价NSV1C201MZ4T1G即刻询购立享优惠#长期有货 |
询价 | ||
ON/安森美 |
24+ |
SOT-223 |
880000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
询价 | ||
ON/安森美 |
23+ |
SOT-223 |
50000 |
原装正品 支持实单 |
询价 | ||
ON/安森美 |
24+ |
SOT-223 |
30000 |
原装正品公司现货,假一赔十! |
询价 | ||
ON |
23+ |
SOT223 |
10500 |
原装元器件供应现货支持。咨询更多现货库存,支持样 |
询价 | ||
ON/安森美 |
24+ |
SOT-223 |
505348 |
免费送样原盒原包现货一手渠道联系 |
询价 | ||
ON/安森美 |
24+ |
SOT-223 |
39500 |
进口原装现货 支持实单价优 |
询价 |