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NSV20200LT1G中文资料20 V, 4.0 A, Low VCE(sat) PNP Transistor数据手册ONSEMI规格书

厂商型号 |
NSV20200LT1G |
参数属性 | NSV20200LT1G 封装/外壳为TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS PNP 20V 2A SOT23-3 |
功能描述 | 20 V, 4.0 A, Low VCE(sat) PNP Transistor |
封装外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
制造商 | ONSEMI ON Semiconductor |
中文名称 | 安森美半导体 |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-9-26 22:59:00 |
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NSV20200LT1G规格书详情
简介
NSV20200LT1G属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由制造生产的NSV20200LT1G晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。
技术参数
更多- 产品编号:
NSV20200LT1G
- 制造商:
onsemi
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
- 包装:
卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 晶体管类型:
PNP
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):
180mV @ 200mA,2A
- 电流 - 集电极截止(最大值):
100nA(ICBO)
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):
250 @ 500mA,2V
- 频率 - 跃迁:
100MHz
- 工作温度:
-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商器件封装:
SOT-23-3(TO-236)
- 描述:
TRANS PNP 20V 2A SOT23-3
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
onsemi(安森美) |
24+ |
SOT-23(TO-236) |
3022 |
原厂订货渠道,支持BOM配单一站式服务 |
询价 | ||
ON/安森美 |
24+ |
NA/ |
3000 |
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询价 | ||
ON |
2016+ |
SOT23-3 |
8880 |
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三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
询价 | ||||
ON/安森美 |
23+ |
SOT-23 |
50000 |
原装正品 支持实单 |
询价 | ||
ON(安森美) |
23+ |
NA |
20094 |
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询价 | ||
On Semi |
19+ |
3000 |
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询价 | |||
ON/安森美 |
2019+ |
SOT-23 |
78550 |
原厂渠道 可含税出货 |
询价 | ||
onsemi |
25+ |
TO-236-3 SC-59 SOT-23-3 |
9350 |
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询价 | ||
ON/安森美 |
24+ |
SOT-23 |
9600 |
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询价 |