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NSS40301MZ4T3G数据手册分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF

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厂商型号

NSS40301MZ4T3G

参数属性

NSS40301MZ4T3G 封装/外壳为TO-261-4,TO-261AA;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN 40V 3A SOT223

功能描述

双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 40V LOW SAT BP SOT223
TRANS NPN 40V 3A SOT223

封装外壳

TO-261-4,TO-261AA

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

数据手册

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更新时间

2025-8-8 14:50:00

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NSS40301MZ4T3G规格书详情

简介

NSS40301MZ4T3G属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由制造生产的NSS40301MZ4T3G晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。

技术参数

更多
  • 产品编号:

    NSS40301MZ4T3G

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    200mV @ 300mA,3A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    100nA(ICBO)

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    200 @ 1A,1V

  • 频率 - 跃迁:

    215MHz

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-261-4,TO-261AA

  • 供应商器件封装:

    SOT-223(TO-261)

  • 描述:

    TRANS NPN 40V 3A SOT223

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ONSEMI/安森美
24+
SOT223
27950
郑重承诺只做原装进口现货
询价
安森美
21+
12588
原装现货,价格优势
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ON(安森美)
24+
N/A
18000
原装正品现货支持实单
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ON/安森美
24+
NA/
1723
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票
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onsemi(安森美)
24+
SOT-223-4
3727
原厂订货渠道,支持BOM配单一站式服务
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ON(安森美)
23+
标准封装
8000
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ON
1446+
SOT-223
4000
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NK/南科功率
2025+
SOT-223-4
14158
国产南科平替供应大量
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ON/安森美
21+
SMD
30000
百域芯优势 实单必成 可开13点增值税
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onsemi
25+
TO-261-4 TO-261AA
9350
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证
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