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NSS12100XV6数据手册分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF

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厂商型号

NSS12100XV6

参数属性

NSS12100XV6 封装/外壳为SOT-563,SOT-666;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS PNP 12V 1A SOT563

功能描述

低饱和压晶体管,PNP,12 V,1.0 A
TRANS PNP 12V 1A SOT563

封装外壳

SOT-563,SOT-666

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

数据手册

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更新时间

2025-8-8 12:00:00

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NSS12100XV6规格书详情

描述 Description

Low VCE(sat) Bipolar Transistors are miniature surface mount devices featuring ultra low saturation voltage VCE(sat) and high current gain capability. These are designed for use in low voltage, high speed switching applications where affordable efficient energy control is important.

简介

NSS12100XV6属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由制造生产的NSS12100XV6晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :NSS12100XV6

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • AEC Qualified

    :A

  • Halide free

    :H

  • PPAP Capablee

    :P

  • Status

    :Active

  • Polarity

    :PNP

  • Type

    :Low VCE(sat)

  • VCE(sat) Max (V)

    :0.44

  • IC Cont. (A)

    :1

  • VCEO Min (V)

    :12

  • VCBO (V)

    :12

  • VEBO (V)

    :5

  • VBE(sat) (V)

    :1.15

  • VBE(on) (V)

    :1.15

  • hFE Min

    :100

  • hFE Max

    :-

  • fT Min (MHz)

    :-

  • PTM Max (W)

    :0.65

  • Package Type

    :SOT-563

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