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NSS12100XV6

低饱和压晶体管,PNP,12 V,1.0 A

Low VCE(sat) Bipolar Transistors are miniature surface mount devices featuring ultra low saturation voltage VCE(sat) and high current gain capability. These are designed for use in low voltage, high speed switching applications where affordable efficient energy control is important.

ONSEMI

安森美半导体

NSS12100XV6T1G

12 V, 1 A, Low VCE(sat) PNP Transistor

文件:100 Kbytes 页数:5 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NSS12100XV6T1G

Package:SOT-563,SOT-666;包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:TRANS PNP 12V 1A SOT563

ONSEMI

安森美半导体

NSS12100XV6T1G

SOT-563

ONS

NSS1C201LT1G

SOT-23

ON

技术参数

  • Pb-free:

    Pb

  • AEC Qualified:

    A

  • Halide free:

    H

  • PPAP Capablee:

    P

  • Status:

    Active

  • Polarity:

    PNP

  • Type:

    Low VCE(sat)

  • VCE(sat) Max (V):

    0.44

  • IC Cont. (A):

    1

  • VCEO Min (V):

    12

  • VCBO (V):

    12

  • VEBO (V):

    5

  • VBE(sat) (V):

    1.15

  • VBE(on) (V):

    1.15

  • hFE Min:

    100

  • PTM Max (W):

    0.65

  • Package Type:

    SOT-563

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