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NSS20201LT1G分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

厂商型号 |
NSS20201LT1G |
参数属性 | NSS20201LT1G 封装/外壳为TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装为剪切带(CT)带盒(TB);类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN 20V 2A SOT23-3 |
功能描述 | NPN Transistor |
封装外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
文件大小 |
134.8 Kbytes |
页面数量 |
6 页 |
生产厂商 | ONSEMI |
中文名称 | 安森美半导体 |
网址 | |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-10-4 23:00:00 |
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NSS20201LT1G规格书详情
NSS20201LT1G属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由安森美半导体制造生产的NSS20201LT1G晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。
产品属性
更多- 产品编号:
NSS20201LT1G
- 制造商:
onsemi
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
- 包装:
剪切带(CT)带盒(TB)
- 晶体管类型:
NPN
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):
100mV @ 200mA,2A
- 电流 - 集电极截止(最大值):
100nA(ICBO)
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):
200 @ 500mA,2V
- 频率 - 跃迁:
150MHz
- 工作温度:
-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商器件封装:
SOT-23-3(TO-236)
- 描述:
TRANS NPN 20V 2A SOT23-3
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
onsemi(安森美) |
24+ |
SOT-23(TO-236) |
3022 |
原厂订货渠道,支持BOM配单一站式服务 |
询价 | ||
ON/安森美 |
24+ |
NA/ |
3000 |
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询价 | ||
ON |
24+ |
SOT-23 |
80000 |
只做自己库存 全新原装进口正品假一赔百 可开13%增 |
询价 | ||
ON/安森美 |
24+ |
SOT-23(SOT-23-3) |
30000 |
原装正品公司现货,假一赔十! |
询价 | ||
ON/安森美 |
22+ |
SOT-23 |
100000 |
代理渠道/只做原装/可含税 |
询价 | ||
ON/安森美 |
25+ |
25000 |
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询价 | |||
ON/安森美 |
24+ |
SOT-23 |
505348 |
免费送样原盒原包现货一手渠道联系 |
询价 | ||
ON/安森美 |
21+ |
SMD |
30000 |
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询价 | ||
ON |
23+ |
原厂封装 |
13528 |
振宏微原装正品,假一罚百 |
询价 | ||
ON/安森美 |
21+ |
SOT-23(SOT-23-3) |
8080 |
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询价 |