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NSS20201LT1G	文件：131.45 Kbytes Page：5 Pages	20 V, 4.0 A, Low VCE(sat) NPN Transistor	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NSS20201LT1G	文件：135.01 Kbytes Page：6 Pages	20 V, 4.0 A, Low VCE(sat) NPN Transistor	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NSS20201LT1G	文件：134.8 Kbytes Page：6 Pages	NPN Transistor	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NSS20201LT1G	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装：剪切带（CT）带盒（TB）类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 20V 2A SOT23-3	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NSS20201LT1G_11	文件：135.01 Kbytes Page：6 Pages	20 V, 4.0 A, Low VCE(sat) NPN Transistor	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NSS20201LT1G_16	文件：134.8 Kbytes Page：6 Pages	NPN Transistor	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NSV20201LT1G	文件：135.01 Kbytes Page：6 Pages	20V,4.0A,LowVCE(sat)NPNTransistor	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
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产品属性

产品编号：
NSS20201LT1G
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
剪切带（CT）带盒（TB）
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
100mV @ 200mA，2A
电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
200 @ 500mA，2V
频率 - 跃迁：
150MHz
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：
SOT-23-3（TO-236）
描述：
TRANS NPN 20V 2A SOT23-3

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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