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NSS20101J分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

NSS20101J
厂商型号

NSS20101J

参数属性

NSS20101J 封装/外壳为SC-89,SOT-490;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN 20V 1A SC89-3

功能描述

20 V, 1.0 A, Low VCE(sat) NPN Transistor
TRANS NPN 20V 1A SC89-3

封装外壳

SC-89,SOT-490

文件大小

115.4 Kbytes

页面数量

5

生产厂商 ON Semiconductor
企业简称

ONSEMI安森美半导体

中文名称

安森美半导体公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-8-3 15:19:00

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NSS20101J规格书详情

NSS20101J属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由安森美半导体公司制造生产的NSS20101J晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。

产品属性

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  • 产品编号:

    NSS20101JT1G

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    220mV @ 100mA,1A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    100nA(ICBO)

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    200 @ 100mA,2V

  • 频率 - 跃迁:

    350MHz

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    SC-89,SOT-490

  • 供应商器件封装:

    SC-89-3

  • 描述:

    TRANS NPN 20V 1A SC89-3

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ON/安森美
22+
SC-89
18000
原装正品
询价
ON/安森美
24+
SOT-523
9600
原装现货,优势供应,支持实单!
询价
恩XP
23+
NA
12730
原装正品代理渠道价格优势
询价
ON(安森美)
23+
标准封装
5000
原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品
询价
三年内
1983
只做原装正品
询价
ON(安森美)
2447
SC-89-3
105000
3000个/圆盘一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,
询价
25+
17ROHS
880000
明嘉莱只做原装正品现货
询价
ON/安森美
22+
SC-89-3
12000
只有原装,原装,假一罚十
询价
ON Semiconductor
2022+
原厂原包装
8600
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销
询价
ON/安森美
2023+
SC70-3
6895
原厂全新正品旗舰店优势现货
询价