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NSS20101J	文件：115.4 Kbytes Page：5 Pages	20 V, 1.0 A, Low VCE(sat) NPN Transistor	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NSS20101J	文件：111.39 Kbytes Page：6 Pages	NPN Transistor	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
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NSS20101JT1G	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：SC-89，SOT-490；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 20V 1A SC89-3	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
PTB20101	文件：49.39 Kbytes Page：1 Pages	NPNSILICONRFPOWERTRANSISTOR DESCRIPTION: TheASIPTB20101isDesignedforGeneralPurposeClassABPowerAmplifierApplicationsupto860MHz. FEATURES: •175W,470-860MHz •SiliconNitridePassivated •Omnigold™MetalizationSystem	ASI Advanced Semiconductor	ASI
PTB20101	文件：44.64 Kbytes Page：3 Pages	175WattsP-Sync,470-860MHzUHFTVPowerTransistor Description The20101isaclassAB,NPN,commonemitterUHFTVpowertransistorintendedfor28Vdcoperationfrom470to860MHz.Itisratedat175wattsP-syncminimumoutputpower.Ionimplantation,nitridesurfacepassivationandgoldmetallizationareusedtoensureexcellentdevicereliab	EricssonEricsson Microelectronics 爱立信爱立信公司	Ericsson
SPVQA20101	文件：1.1138 Mbytes Page：5 Pages	Water-proofType	ALPSALPS ELECTRIC CO.,LTD. 阿尔卑斯阿尔卑斯电气株式会社	ALPS
T-20101	文件：23.64 Kbytes Page：1 Pages	CURRENTSENSETRANSFORMER	RHOMBUS-IND Rhombus Industries Inc.	RHOMBUS-IND

详细参数

型号：
NSS20101J
制造商：
ONSEMI
制造商全称：
ON Semiconductor
功能描述：
20 V, 1.0 A, Low VCE(sat) NPN Transistor

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