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NSS1C201MZ4T1G分立半导体产品晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
NSS1C201MZ4T1G |
| 参数属性 | NSS1C201MZ4T1G 封装/外壳为TO-261-4，TO-261AA；包装为卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带；类别为分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个；产品描述：TRANS NPN 100V 2A SOT223 |
| 功能描述 | 100 V, 2.0 A, Low VCE(sat) NPN Transistor |
| 文件大小 |
106.52 Kbytes |
| 页面数量 |
6 页 |
| 生产厂商 | ON Semiconductor |
| 企业简称 |
ONSEMI【安森美半导体】 |
| 中文名称 | 安森美半导体公司官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2024-5-31 19:04:00 |
NSS1C201MZ4T1G规格书详情
NSS1C201MZ4T1G属于分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个。安森美半导体公司制造生产的NSS1C201MZ4T1G晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一，对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言，它们的特性相比某些器件类型不占优势，但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言，它们仍然是首选技术。
产品属性
- 产品编号：
NSS1C201MZ4T1G
- 制造商：
onsemi
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 晶体管类型：
NPN
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
180mV @ 200mA，2A
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA（ICBO）
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
120 @ 500mA，2V
- 频率 - 跃迁：
100MHz
- 工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
TO-261-4，TO-261AA
- 供应商器件封装：
SOT-223（TO-261）
- 描述：
TRANS NPN 100V 2A SOT223
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON/安森美 |
23+ |
SOT-223 |
100586 |
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询价 | ||
原装正品ON |
21+ |
SOT223 |
23165 |
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询价 | ||
ON |
23+ |
NA |
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ON |
21+ |
SOT-223 |
15000 |
全新原装公司现货
|
询价 | ||
ON/安森美 |
21+ |
25000 |
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询价 | |||
ON |
15+ |
SOT-223 |
10000 |
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ON/安森美 |
NA |
275000 |
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ON(安森美) |
23+ |
NA |
20094 |
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ON/安森美 |
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SOT-223 |
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ON |
TO-223 |
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