首页>NSS1C300ET4G>规格书详情

NSS1C300ET4G分立半导体产品晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

NSS1C300ET4G
厂商型号

NSS1C300ET4G

参数属性

NSS1C300ET4G 封装/外壳为TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个;产品描述:TRANS PNP 100V 3A DPAK

功能描述

100 V, 3.0 A, Low VCE(sat) PNP Transistor
TRANS PNP 100V 3A DPAK

文件大小

119.07 Kbytes

页面数量

6

生产厂商 ON Semiconductor
企业简称

ONSEMI安森美半导体

中文名称

安森美半导体公司官网

原厂标识
数据手册

原厂下载下载地址一下载地址二原厂数据手册到原厂下载

更新时间

2024-5-31 11:36:00

NSS1C300ET4G规格书详情

NSS1C300ET4G属于分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个。安森美半导体公司制造生产的NSS1C300ET4G晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。

产品属性

  • 产品编号:

    NSS1C300ET4G

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 晶体管类型:

    PNP

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    400mV @ 300mA,3A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    100nA(ICBO)

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    120 @ 1A,2V

  • 频率 - 跃迁:

    100MHz

  • 工作温度:

    -65°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

  • 供应商器件封装:

    DPAK

  • 描述:

    TRANS PNP 100V 3A DPAK

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
23+
N/A
67000
一级代理放心采购
询价
onsemi
24+
TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片
30000
晶体管-分立半导体产品-原装正品
询价
ON(安森美)
23+
NA
8000
原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品
询价
ON Semiconductor
23+/22+
2500
原装进口订货7-10个工作日
询价
ON
2020+
SOT-252
80000
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增
询价
ISC/固电
TO-252DPAK
36530
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种
询价
三年内
1983
纳立只做原装正品13590203865
询价
ON(安森美)
23+
标准封装
5000
原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品
询价
onsemi
23/22+
NA
9000
代理渠道.实单必成
询价
ON
21+
TO-252
10000
询价