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NSS1C301E	文件：243.01 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION · Collector-Emitter Breakdown Voltage -V(BR)CEO= 100V(Min) · Collector-Emitter Saturation Voltage -VCE(sat): 0.05V(Max) @IC= 1A APPLICATIONS · Switching Regulators · Converters · DC−DC converters 文件：243.01 Kbytes 页数：3 Pages	ISC 无锡固电	ISC
NSS1C301ET4G	文件：83.56 Kbytes Page：5 Pages	100 V, 3.0 A, Low VCE(sat) NPN Transistor 文件：83.56 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NSS1C301ET4G	文件：116.71 Kbytes Page：5 Pages	100 V, 3.0 A, Low VCE(sat) NPN Transistor 文件：116.71 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NSS1C301ET4G	文件：77.2 Kbytes Page：5 Pages	NPN Transistor 文件：77.2 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NSS1C301ET4G_14	文件：116.71 Kbytes Page：5 Pages	100 V, 3.0 A, Low VCE(sat) NPN Transistor 文件：116.71 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NSS1C301ET4G_16	文件：77.2 Kbytes Page：5 Pages	NPN Transistor 文件：77.2 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NSS1C301E	文件：300 bytes Page：1 Pages	3 A，100 V 低 VCE(sat) NPN 晶体管 • NSV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable\n• These Devices are Pb-Free and are RoHS Compliant;	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NSS1C301ET4G	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 100V 3A DPAK	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

技术参数

Pb-free：
Pb
AEC Qualified：
A
Halide free：
H
PPAP Capablee：
P
Status：
Active
Polarity：
NPN
Type：
Low VCE(sat)
VCE(sat) Max (V)：
0.25
IC Cont. (A)：
3
VCEO Min (V)：
100
VCBO (V)：
140
VEBO (V)：
6
VBE(sat) (V)：
1
VBE(on) (V)：
0.9
hFE Min：
120
hFE Max：
360
PTM Max (W)：
12.5
Package Type：
DPAK-3

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