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NSS1C301ET4G	文件：83.56 Kbytes Page：5 Pages	100 V, 3.0 A, Low VCE(sat) NPN Transistor	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NSS1C301ET4G	文件：116.71 Kbytes Page：5 Pages	100 V, 3.0 A, Low VCE(sat) NPN Transistor	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NSS1C301ET4G	文件：77.2 Kbytes Page：5 Pages	NPN Transistor	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NSS1C301ET4G_14	文件：116.71 Kbytes Page：5 Pages	100 V, 3.0 A, Low VCE(sat) NPN Transistor	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NSS1C301ET4G_16	文件：77.2 Kbytes Page：5 Pages	NPN Transistor	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NSS1C301ET4G	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 100V 3A DPAK	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
XN1C301	文件：60.48 Kbytes Page：5 Pages	SiliconPNP(NPN)epitaxialplanertransistor SiliconPNPepitaxialplanertransistor(Tr1) SiliconNPNepitaxialplanertransistor(Tr2) Forgeneralamplification ■Features ●Twoelementsincorporatedintoonepackage. (Tr1baseisconnectedtoTr2emitter.) ●Reductionofthemountingareaandassemblycostbyonehalf. ■BasicP	PanasonicPanasonic Corporation 松下松下电器	Panasonic
XN1C301	文件：85.6 Kbytes Page：6 Pages	SiliconPNPepitaxialplanertransistor(Tr1) SiliconPNPepitaxialplanertransistor(Tr1) SiliconNPNepitaxialplanertransistor(Tr2) Forgeneralamplification ■Features ●Twoelementsincorporatedintoonepackage. (Tr1baseisconnectedtoTr2emitter.) ●Reductionofthemountingareaandassemblycostbyonehalf. ■BasicP	PanasonicPanasonic Corporation 松下松下电器	Panasonic
XP1C301	文件：56.41 Kbytes Page：5 Pages	SiliconPNP(NPN)epitaxialplanertransistor SiliconPNPepitaxialplanertransistor(Tr1) SiliconNPNepitaxialplanertransistor(Tr2) Forgeneralamplification ■Features ●Twoelementsincorporatedintoonepackage. (Tr1baseisconnectedtoTr2emitter.) ●Reductionofthemountingareaandassemblycostbyonehalf.	PanasonicPanasonic Corporation 松下松下电器	Panasonic

产品属性

产品编号：
NSS1C301ET4G
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
250mV @ 300mA，3A
电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
120 @ 1A，2V
频率 - 跃迁：
120MHz
工作温度：
-65°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
供应商器件封装：
DPAK
描述：
TRANS NPN 100V 3A DPAK

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更多NSS1C301E供应商更新时间2024-6-12 17:15:00

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