NSS1C301E中文资料3 A，100 V 低 VCE(sat) NPN 晶体管数据手册ONSEMI规格书

特性 Features

• NSV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable
• These Devices are Pb-Free and are RoHS Compliant

简介

NSS1C301E属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个。由ONSEMI制造生产的NSS1C301E晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一，对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言，它们的特性相比某些器件类型不占优势，但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言，它们仍然是首选技术。