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NSR0320XV6T1G	文件：152.27 Kbytes Page：4 Pages	Schottky Barrier Diode These Schottky barrier diodes are designed for high current, handling capability, and low forward voltage performance. Features • Low Forward Voltage − 0.35 V (Typ) @ IF = 10 mAdc • High Current Capability • These are Pb−Free Devices 文件：152.27 Kbytes 页数：4 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NSR0320XV6T1G	文件：43.19 Kbytes Page：3 Pages	Schottky Barrier Diode 文件：43.19 Kbytes 页数：3 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NSR0320XV6T1G	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：SOT-563，SOT-666；包装：管件类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：DIODE SCHOTTKY 23V 1A SOT563	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NSR0320XV6T1	文件：152.27 Kbytes Page：4 Pages	Schottky Barrier Diode These Schottky barrier diodes are designed for high current, handling capability, and low forward voltage performance. Features • Low Forward Voltage − 0.35 V (Typ) @ IF = 10 mAdc • High Current Capability • These are Pb−Free Devices 文件：152.27 Kbytes 页数：4 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NSR0320XV6T1	文件：43.19 Kbytes Page：3 Pages	Schottky Barrier Diode 文件：43.19 Kbytes 页数：3 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NSR0320XV6T1	文件：31.8 Kbytes Page：4 Pages	Schottky Barrier Diode 文件：31.8 Kbytes 页数：4 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

更多NSR0320XV6T1G供应商更新时间2025-11-30 10:01:00