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NSB8JT-E3/45	文件：300 bytes Page：1 Pages	整流器 600 Volt 8.0 Amp 125 Amp IFSM	Vishay 威世	Vishay
NSB8JT-E3/45	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB	Vishay General Semiconductor - Diodes Division	Vishay General Semiconductor - Diodes Division
UG8JT-E3/45	文件：144.25 Kbytes Page：5 Pages	High Voltage Ultrafast Rectifier FEATURES • Glass passivated chip junction • Ultrafast recovery time • Soft recovery characteristics • Low switching losses, high efficiency • High forward surge capability • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C (for TO-263AB package) • Solder dip 260 °C, 文件：144.25 Kbytes 页数：5 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
UG8JT-E3/45	文件：142.81 Kbytes Page：5 Pages	High Voltage Ultrafast Rectifier 文件：142.81 Kbytes 页数：5 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
UGB8JT-E3/45	文件：144.25 Kbytes Page：5 Pages	High Voltage Ultrafast Rectifier FEATURES • Glass passivated chip junction • Ultrafast recovery time • Soft recovery characteristics • Low switching losses, high efficiency • High forward surge capability • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C (for TO-263AB package) • Solder dip 260 °C, 文件：144.25 Kbytes 页数：5 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY

产品属性

产品编号：
NSB8JT-E3/45
制造商：
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单
包装：
卷带（TR）
二极管类型：
标准
电流 - 平均整流 (Io)：
8A
速度：
标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）
不同 Vr、F 时电容：
55pF @ 4V，1MHz
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
供应商器件封装：
TO-263AB（D²PAK）
工作温度 - 结：
-55°C ~ 150°C
描述：
DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB

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