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NP83P06PDG-E1-AYNote	文件：299.58 Kbytes Page：9 Pages	SWITCHING P-CHANNEL POWER MOSFET	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NP83P06PDG-E1-AY	文件：1.34917 Mbytes Page：8 Pages	-60V–-83A–P-channelPowerMOSFETApplication:Automotive Description ThisproductisP-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features Superlowon-stateresistance:RDS(on)=8.8mMax.(VGS=-10V,ID=-41.5A) RDS(on)=12mMax.(VGS=-4.5V,ID=-41.5A) Lowinputcapacitance:Ciss	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NP83P06PDG-E1-AY	文件：190.19 Kbytes Page：7 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR DESCRIPTION TheNP83P06PDGisP-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •Superlowon-stateresistance RDS(on)1=8.8mΩMAX.(VGS=−10V,ID=−41.5A) RDS(on)2=12mΩMAX.(VGS=−4.5V,ID=−41.5A) •Highcurrentrating:ID	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC

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-60V–-83A–P-channelPowerMOSFETApplication:Automotive

Description ThisproductisP-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features Superlowon-stateresistance:RDS(on)=8.8mMax.(VGS=-10V,ID=-41.5A) RDS(on)=12mMax.(VGS=-4.5V,ID=-41.5A) Lowinputcapacitance:Ciss

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MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR

DESCRIPTION TheNP83P06PDGisP-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •Superlowon-stateresistance RDS(on)1=8.8mΩMAX.(VGS=−10V,ID=−41.5A) RDS(on)2=12mΩMAX.(VGS=−4.5V,ID=−41.5A) •Highcurrentrating:ID

NECRenesas Electronics America

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供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市瑞新盛科技有限公司	NP8402EKR	NATLINEAR/南麟	24+	SOT-523	156000	专营NATLINEAR南麟原装正品保障	询价
深圳市一线半导体有限公司	NP84N03KUF	NEC	24+	TO-263	8866		询价
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更多NP83P06PDG-E1-AYNOTE供应商更新时间2025-5-23 9:36:00

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