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NP48N055KHE-E1-AY

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET

DESCRIPTION These products are N-channel MOS Field Effect Transistors designed for high current switching applications. FEATURES • Channel temperature 175 degree rated • Super low on-state resistance RDS(on) = 17 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 24 A) • Low input capacitance Ciss = 1600 pF T

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NEC

瑞萨

NP48N055KHE-E1-AY

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET FEATURES • Channel temperature 175 degree rated • Super low on-state resistance RDS(on) = 17 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 24 A) • Low input capacitance Ciss = 1600 pF TYP. • Built-in gate protection diode

文件:305.15 Kbytes 页数:12 Pages

RENESAS

瑞萨

NP48N055KHE-E1-AYNote1

SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET

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RENESAS

瑞萨

NP48N055KHE-E1-AY

包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别:分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 描述:TRANSISTOR

Renesas Electronics America Inc

Renesas Electronics America Inc

产品属性

  • 产品编号:

    NP48N055KHE-E1-AY

  • 制造商:

    Renesas Electronics America Inc

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 单个

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):

    48A(Tc)

  • 描述:

    TRANSISTOR

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
Renesas Electronics America
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更多NP48N055KHE-E1供应商 更新时间2026-1-28 15:01:00