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NP40N10VDF	文件：299.22 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=40A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=26mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
NP40N10VDF	文件：5.67799 Mbytes Page：6 Pages	Product Scout Automotive	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NP40N10VDF	文件：162.8 Kbytes Page：11 Pages	100 V ??40 A ??N-channel Power MOS FET Application: Automotive	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NP40N10VDF	文件：862.07 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel MOSFET uses advanced SGT technology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司	DOINGTER
NP40N10VDF-E1-AY	文件：259.839 Kbytes Page：11 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR Description TheseproductsareN-channelMOSFieldEffectTransistorsdesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features •Lowon-stateresistance ⎯RDS(on)=25mΩMAX.(VGS=10V,ID=20A)(NP40N10YDF) ⎯RDS(on)=26mΩMAX.(VGS=10V,ID=20A)(NP40N10VDF) ⎯RDS(on	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NP40N10VDF-E2-AY	文件：259.839 Kbytes Page：11 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR Description TheseproductsareN-channelMOSFieldEffectTransistorsdesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features •Lowon-stateresistance ⎯RDS(on)=25mΩMAX.(VGS=10V,ID=20A)(NP40N10YDF) ⎯RDS(on)=26mΩMAX.(VGS=10V,ID=20A)(NP40N10VDF) ⎯RDS(on	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NP40N10VDF-E1-AY	文件：162.8 Kbytes Page：11 Pages	100 V ??40 A ??N-channel Power MOS FET Application: Automotive	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NP40N10VDF-E2-AY	文件：162.8 Kbytes Page：11 Pages	100 V ??40 A ??N-channel Power MOS FET Application: Automotive	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NP40N10VDF-E1-AY	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品晶体管 - FET，MOSFET - 单个描述：TRANSISTOR	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NP40N10VDF-E2-AY	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品晶体管 - FET，MOSFET - 单个描述：TRANSISTOR	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
40N10	文件：194.01 Kbytes Page：2 Pages	40Amps,100VoltsN-CHANNELMOSFET FEATURE ●40A,100V,RDS(ON)=40mΩ@VGS=10V/20A ●Lowgatecharge ●LowCiss ●Fastswitching ●100avalanchetested ●Improveddv/dtcapability	CHONGQINGCHONGQING PINGYANG ELECTRONICS CO.,LTD 重庆平伟实业重庆平伟实业股份有限公司	CHONGQING
40N10	文件：68.08 Kbytes Page：2 Pages	FastSwitching FEATURES •DrainCurrentID=40A@TC=25℃ •DrainSourceVoltage- :VDSS=100V(Min) •StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.04Ω(Max) •FastSwitching APPLICATIONS •Switchingpowersupplies,converters,ACandDCmotorcontrols	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
40N10	文件：983.6 Kbytes Page：8 Pages	N-Channel100-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
40N10B	文件：194.01 Kbytes Page：2 Pages	40Amps,100VoltsN-CHANNELMOSFET FEATURE ●40A,100V,RDS(ON)=40mΩ@VGS=10V/20A ●Lowgatecharge ●LowCiss ●Fastswitching ●100avalanchetested ●Improveddv/dtcapability	CHONGQINGCHONGQING PINGYANG ELECTRONICS CO.,LTD 重庆平伟实业重庆平伟实业股份有限公司	CHONGQING
40N10F	文件：194.01 Kbytes Page：2 Pages	40Amps,100VoltsN-CHANNELMOSFET FEATURE ●40A,100V,RDS(ON)=40mΩ@VGS=10V/20A ●Lowgatecharge ●LowCiss ●Fastswitching ●100avalanchetested ●Improveddv/dtcapability	CHONGQINGCHONGQING PINGYANG ELECTRONICS CO.,LTD 重庆平伟实业重庆平伟实业股份有限公司	CHONGQING
40N10H	文件：194.01 Kbytes Page：2 Pages	40Amps,100VoltsN-CHANNELMOSFET FEATURE ●40A,100V,RDS(ON)=40mΩ@VGS=10V/20A ●Lowgatecharge ●LowCiss ●Fastswitching ●100avalanchetested ●Improveddv/dtcapability	CHONGQINGCHONGQING PINGYANG ELECTRONICS CO.,LTD 重庆平伟实业重庆平伟实业股份有限公司	CHONGQING
CED40N10	文件：423.21 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■100V,37A,RDS(ON)=32mΩ@VGS=10V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-251&TO-252package.	CETCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET
CED40N10	文件：608.59 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 100V,37A,RDS(ON)=32mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. Leadfreeproductisacquired.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CEU40N10	文件：608.59 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 100V,37A,RDS(ON)=32mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. Leadfreeproductisacquired.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CEU40N10	文件：988.95 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelMOSFETusesadvancedSGTtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司	DOINGTER

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详细参数

型号：
NP40N10VDF
制造商：
RENESAS
制造商全称：
Renesas Technology Corp
功能描述：
100 V a?? 40 A a?? N-channel Power MOS FET
Application：
Automotive

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市百视威讯电子科技有限公司	NP40N10VDF		23+	N/A	59510	正品授权货源可靠	询价
深圳兆威电子有限公司	NP40N10VDF	VB	2019	TO-252	55000	绝对原装正品假一罚十!	询价
深圳市宏捷佳电子科技有限公司	NP40N10VDF	R	23+	TO-252	33500	全新原装真实库存含13点增值税票!	询价
深圳市纳艾斯科技有限公司	NP40N10VDF	R	2020+	TO-252	80000	只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增	询价
深圳市仟禧电子有限公司	NP40N10VDF	RENESAS/瑞萨	22+	TO-252	20000	保证原装正品,假一陪十	询价
深圳市振芯物联科技有限公司	NP40N10VDF	VBsemi/台湾微碧	22+	TO-252	28600	只做原装正品现货假一赔十一级代理	询价
深圳市国宇半导体科技有限公司	NP40N10VDF	R	23+	TO-252	10000	公司只做原装正品	询价
深圳市威尔健半导体有限公司	NP40N10VDF	RENESAS/瑞萨	23+	SOT252	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价
深圳市安富世纪电子有限公司	NP40N10VDF	RENESAS	21+	TO252	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价
京海半导体(深圳)有限公司	NP40N10VDF	VB	21+	TO-252	10000	原装现货假一罚十	询价

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